[發明專利]一種存儲器件的制備方法以及存儲器件

有效

• 申請號: 202010039022.4
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN111223871B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 付洋;胡思平
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H10B43/35
• 分類號: H10B43/35;H10B43/27
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李梅香;張穎玲

1.一種存儲器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一晶圓，所述第一晶圓包括用于形成存儲單元的正面以及與所述正面相對的背面；

刻蝕所述第一晶圓，形成從所述正面延伸至所述第一晶圓內部的第一開孔；

在所述正面上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層填充所述第一開孔；

刻蝕所述第一絕緣層，形成貫穿所述第一絕緣層的第二開孔，所述第二開孔在所述第一晶圓上的正投影位于所述第一開孔內，所述第二開孔的側壁通過所述第一絕緣層與所述第一晶圓隔離；

在所述第二開孔內形成第一導電層；

提供第二晶圓，所述第二晶圓上形成有外圍電路；

所述第一晶圓以正面與所述第二晶圓鍵合；

在第一晶圓與第二晶圓鍵合之后，由所述第一晶圓的背面減薄所述第一晶圓，暴露所述第一導電層以形成貫穿所述第一晶圓的導電通孔。

2.根據權利要求1所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，所述存儲器件包括位于存儲單元之間的隔離溝槽；

在形成所述第一絕緣層時，所述第一絕緣層填充所述第一開孔和所述隔離溝槽。

3.根據權利要求1所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，所述第一開孔的深度大于或等于減薄后的第一晶圓的厚度。

4.根據權利要求1所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，采用以下刻蝕劑執行刻蝕所述第一絕緣層，形成所述第二開孔：所述刻蝕劑以所述第一晶圓為刻蝕停止層，去除位于所述第二開孔預設形成位置內的所述第一絕緣層。

5.根據權利要求1所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，所述第一絕緣層包括位于所述第一晶圓的正面上第一部分以及填充在所述第一開孔內部的第二部分；

所述第一導電層包括形成在所述第一部分內的部分以及形成在所述第二部分內的部分。

6.根據權利要求1所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，所述第一開孔的開口尺寸和所述第二開孔的開口尺寸沿所述第一晶圓的正面到背面的方向減小。

7.根據權利要求1所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，減薄所述第一晶圓后，所述方法還包括：

在所述第一晶圓的背面形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層內形成與所述第一導電層導電連接的第二導電層；在所述第二導電層上形成焊盤。