[發明專利]一種寬光譜探測器以及制備方法

在審

• 申請號: 202010038865.2
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN111211228A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 張雅婷;李依凡;李騰騰;李慶延;姚建銓
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明實施例公開了一種寬光譜探測器以及制備方法，該探測器包括：襯底，以及至少一個探測單元；其中，至少一個探測單元設置在襯底上；至少一個探測單元，包括：兩個金屬電極以及鈣鈦礦材料層；鈣鈦礦材料層與兩個金屬電極歐姆接觸。本發明實施例的技術方案，解決了現有技術中采用硅、銦鎵砷，或鍺探測器時，探測器的覆蓋范圍小，響應度低，難以滿足各方面需求的技術問題，實現了提高探測器的覆蓋范圍，使探測器可以從紫外覆蓋到太赫茲波段，并且響應度較高，從而可以提高應用范圍的技術效果。

技術領域

本發明實施例涉及太赫茲探測技術領域，尤其涉及一種寬光譜探測器以及制備方法。

背景技術

目前，商業上已經存在比較成熟的探測器技術，如硅(Si)，銦鎵砷(InGaAs),鍺(Ge)等探測器。其中，上述列舉的探測器的響應波段以及響應度，可參見表1。

表1

類型	響應波段(nm)	響應度(A/W)
D Si 200	200-1100	0.52
D InGaAs 1650	800-1700	0.85
Ge	400-2000	0.85

但是，上述探測器的覆蓋波段難以覆蓋到紫外到太赫茲波段，并且響應度在1A/W，同時上述探測器難以做成柔性可穿戴的，因此難以滿足實際應用中各個方面的需求。

發明內容

本發明提供一種寬光譜探測器以及制備方法，以實現寬光譜探測，以及提高響應度的技術效果。

第一方面，本發明實施例提供了一種寬光譜探測器，該寬光譜探測器包括：襯底，以及至少一個探測單元；其中，

所述至少一個探測單元設置在所述襯底上；

所述至少一個探測單元，包括：兩個金屬電極以及鈣鈦礦材料層；

所述鈣鈦礦材料層與所述兩個金屬電極歐姆接觸。

進一步的，所述至少一個探測單元包括一個探測單元；

所述探測單元包括：

在所述襯底上設置有第一金屬電極；

所述鈣鈦礦材料層設置在所述第一金屬電極上；

第二金屬電極設置在所述鈣鈦礦材料層上。

進一步的，所述襯底具有導電性，作為第一金屬電極；