[發(fā)明專利]一種基于時(shí)間干涉的深部經(jīng)顱磁線圈刺激裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010038587.0
• 申請(qǐng)日: 2020-01-14
• 公開（公告）號(hào): CN111135465A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏熙樂;黃默媛;盧梅麗;伊國(guó)勝;王江;鄧斌;于海濤;張鎮(zhèn);李會(huì)燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): A61N2/04
• 分類號(hào): A61N2/04
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201
• 代理人: 程毓英

1.一種基于時(shí)間干涉的深部經(jīng)顱磁線圈刺激裝置，包括兩個(gè)線圈單元和兩個(gè)高頻發(fā)生器，其特征在于，兩個(gè)線圈單元設(shè)為第I線圈單元和第II線圈單元，第I線圈單元上施加的刺激電流為電流Q1，第II線圈單元上施加的刺激電流為Q2，空間上，第I線圈單元與第II線圈單元分別位于大腦的兩側(cè)，且第I線圈單元與第II線圈單元之間的夾角為θ，第I線圈單元與第II線圈單元上施加的刺激電流方向在初始時(shí)刻是相同的，且第I線圈單元與第II線圈單元上施加的刺激電流均為正弦波電流，分別為Q₁＝A×sin(2π×f₁×t)，Q₂＝A×sin(2π×f₂×t)，其中A為刺激電流的幅值，f₁為第I線圈單元刺激電流的頻率，由第一高頻發(fā)生器1產(chǎn)生，f₂為第II線圈單元刺激電流的頻率，由第二高頻發(fā)生器產(chǎn)生，t為刺激時(shí)刻。第I線圈單元與第II線圈單元上刺激電流的幅值相同，但頻率不同，且f₁和f₂均為不低于1000Hz的高頻，但f₁和f₂之間的差值為大腦的節(jié)律。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈刺激裝置，其特征在于，f₁和f₂均為不低于1000Hz的高頻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈刺激裝置，其特征在于，在兩個(gè)線圈單元施加的電流幅值為20A，頻率f₁為1kHz，f₂為1.02kHz。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈刺激裝置，其特征在于，兩個(gè)線圈單元的內(nèi)直徑為80mm，外直徑為120mm。