[發明專利]一種SiC增強銅基復合材料及其制備方法

有效

• 申請號: 202010037815.2
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN113186416B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 張銳;關莉;李明亮;李紀鵬;高前程;李哲;馬嘉彬;劉成璞;馮澤琦;范冰冰
• 申請（專利權）人: 鄭州航空工業管理學院
• 主分類號: C22C1/05
• 分類號: C22C1/05;C22C1/10;C22C9/00;C22C32/00
• 代理公司: 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119
• 代理人: 胡云飛

1.一種SiC增強銅基復合材料，其特征在于，包括Cu顆粒和SiC顆粒，所述Cu顆粒和SiC顆粒之間設有非晶玻璃相，所述非晶玻璃相為SiO₂和Cu₂O的共熔物；

所述非晶玻璃相的質量為Cu顆粒和SiC顆粒的總質量的3~10%；所述非晶玻璃相中SiO₂與Cu₂O的質量比為8：92；所述SiC顆粒的平均粒徑為1~5μm，Cu顆粒的平均粒徑為1~2μm；所述SiC顆粒與Cu顆粒的體積比為1：3；

所述SiC增強銅基復合材料的制備方法，包括以下步驟：將SiC復合粉體、Cu₂O粉、Cu粉混合均勻后，得混合粉體；然后對混合粉體預壓后真空燒結，即得；所述SiC復合粉體為非晶態SiO₂包裹SiC顆粒的復合粉體；

SiC復合粉體、Cu₂O粉、Cu粉混合時采用濕磨的方式混勻；所述預壓為將混合粉體在25~35MPa的壓力下預壓4~6min，卸壓；所述真空燒結具體為：預壓后先在250~350℃溫度下保溫8~12min；然后在700~900℃、25~35MPa的壓力下保溫保壓1~2h。

2.一種如權利要求1所述的SiC增強銅基復合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將SiC復合粉體、Cu₂O粉、Cu粉混合均勻后，得混合粉體；然后對混合粉體預壓后真空燒結，即得；所述SiC復合粉體為非晶態SiO₂包裹SiC顆粒的復合粉體；SiC復合粉體、Cu₂O粉、Cu粉混合時采用濕磨的方式混勻；所述預壓為將混合粉體在25~35MPa的壓力下預壓4~6min，卸壓；所述真空燒結具體為：預壓后先在250~350℃溫度下保溫8~12min；然后在700~900℃、25~35MPa的壓力下保溫保壓1~2h。

3.根據權利要求2所述的SiC增強銅基復合材料的制備方法，其特征在于，所述SiC復合粉體由以下方法制得：將硅酸酯與溶劑混合均勻，調節pH為2~3，然后加入SiC顆粒混合均勻，調節pH為8~9，得凝膠；然后對凝膠洗滌、干燥、破碎即得。

4.根據權利要求3所述的SiC增強銅基復合材料的制備方法，其特征在于，所述溶劑為乙醇和水，所述硅酸酯、乙醇和水的體積比為（1~5）：（2~7）：100。