[發明專利]一種高精度低應力光學薄膜沉積方法及裝置

在審

• 申請號: 202010037702.2
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN113186529A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 劉浩;趙祖珍;沈洋;劉偉強
• 申請（專利權）人: 深圳清華大學研究院
• 主分類號: C23C28/04
• 分類號: C23C28/04;C23C14/10;C23C14/34;C23C16/40;C23C16/455
• 代理公司: 深圳國海智峰知識產權代理事務所(普通合伙) 44489
• 代理人: 王慶海

1.一種高精度低應力光學薄膜沉積方法，其特征在于，在薄膜沉積的過程中交替進行離子束濺射沉積和原子層沉積。

2.一種權利要求1所述的高精度低應力光學薄膜沉積方法所用沉積裝置，其特征在于，包括真空腔、基片夾具、擋板、靶材、離子源、氣路系統、寬光譜監控系統；所述基片夾具、所述擋板、所述靶材在所述真空腔內從上至下依次設置，所述氣路系統與所述擋板連通向所述真空腔中提供氣體，所述寬光譜監控系統與所述真空腔連接實時監控薄膜沉積的厚度。

3.根據權利要求2所述的沉積裝置，其特征在于，所述基片夾具與所述真空腔活動連接，所述基片夾具上設置若干個第一通孔。

4.根據權利要求2所述的沉積裝置，其特征在于，所述擋板與所述真空腔轉動連接，所述擋板上表面設置氣體通道和至少一個第二通孔，所述氣體通道上設置若干個氣孔。

5.根據權利要求2所述的沉積裝置，其特征在于，所述離子源固定在所述真空腔內，所述離子源發射的離子束與所述靶材表面成30°-70°。

6.根據權利要求4所述的一種高精度低應力光學薄膜沉積裝置，其特征在于，所述氣路系統包括閥門和至少兩條氣路，所述閥門包括流量閥和控制閥。

7.根據權利要求6所述的一種高精度低應力光學薄膜沉積裝置，其特征在于，每條所述氣路包括并聯設計的第一載體氣路和第一前驅體氣路；所述第一前驅體氣路包括并聯設計的第二前驅體氣路和第二載體氣路。

8.根據權利要求7所述的一種高精度低應力光學薄膜沉積裝置，其特征在于，所述氣路與所述氣孔連接。

9.根據權利要求8所述的一種高精度低應力光學薄膜沉積裝置，其特征在于，所述寬光譜監控系統包括光譜探測器、光源和控制模塊，所述光源設置于所述擋板下方，所述光譜探測器設置于所述基片夾具上方，所述光譜探測器與所述光源豎直方向對齊，所述光源穿過所述第一通孔和所述第二通孔，向所述光譜探測器發射一定頻率的光，所述控制模塊與所述光源和所述光譜探測器分別連接。