[發明專利]平坦化方法及半導體器件

有效

• 申請號: 202010036768.X
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN113192833B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 吳雙雙
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種平坦化方法，其特征在于，包括：

提供襯底，于所述襯底上形成凸起結構；

于所述凸起結構的表面和所述襯底的上表面形成第一介質層，所述第一介質層包括覆蓋所述凸起結構的第一凸區域和覆蓋所述襯底的上表面的第一凹區域，所述第一介質層的厚度介于50nm-150nm之間；

于所述第一凸區域與所述第一凹區域的表面形成第一保護層，所述第一保護層覆蓋所述第一介質層的上表面，使得所述第一凸區域與所述第一凹區域的表面也具有所述第一保護層，所述第一保護層還形成于所述第一凸區域的側壁；

于所述第一介質層上和所述第一保護層的上表面形成第二介質層，所述第二介質層包括覆蓋所述第一凸區域的第二凸區域和覆蓋所述第一凹區域的第二凹區域，所述第二介質層的厚度介于2000nm-2800nm之間；

于所述第一介質層和所述第二介質層內形成傳導結構，傳導結構位于所述第一凸區域側壁的保護層遠離所述凸起結構的一側；

于所述第二凹區域的表面形成第二保護層；

以所述第二保護層為掩膜，以所述第一保護層為刻蝕停止層，刻蝕所述第二介質層，以去除所述第二凸區域的所述第二介質層；

其中，所述第一保護層存在于所述第一介質層與所述第二介質層之間，以防止出現貫穿所述第一介質層和所述第二介質層的裂紋，從而避免所述凸起結構與所述傳導結構出現短路缺陷。

2.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，所述襯底包括硅襯底、多晶硅襯底、鍺襯底、硅鍺襯底、絕緣體上硅襯底、絕緣體上鍺襯底或玻璃襯底。

3.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，于所述第二凹區域的所述第二介質層表面形成所述第二保護層，包括：

于所述第二介質層表面形成第二保護材料層；

去除所述第二凸區域上的所述第二保護材料層。

4.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，去除所述第二凸區域的所述第二介質層之后，還包括：去除所述第二保護層。

5.根據權利要求4所述的平坦化方法，其特征在于，去除所述第二保護層時，還包括：去除所述第一凸區域上的所述第一保護層。

6.根據權利要求5所述的平坦化方法，其特征在于，去除所述第二凸區域的所述第二介質層之后，還包括：于所述第一介質層和所述第二介質層上形成第三介質層。

7.根據權利要求6所述的平坦化方法，其特征在于，于所述第一介質層和所述第二介質層上形成第三介質層，包括：

對所述第一介質層和所述第二介質層進行平坦化處理；

于平坦化處理后的所述第一介質層和所述第二介質層上形成第三介質層。

8.根據權利要求6所述的平坦化方法，其特征在于，于所述第一介質層和所述第二介質層上形成第三介質層，包括：

于所述第一介質層和所述第二介質層上形成第三介質層；

對所述第三介質層進行平坦化處理。

9.根據權利要求1～8中任意一項所述的平坦化方法，其特征在于，所述凸起結構包括電容器結構。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：根據權利要求1～9中任意一項所述的平坦化方法制備的所述半導體器件。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述第一保護層和所述第二保護層的材質包括氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅中的一種或其組合。