[發明專利]微透鏡陣列、透鏡陣列、TOF發射模塊及具有其的電子設備

在審

• 申請號: 202010036508.2
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN113189682A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 陳冠宏;李宗政
• 申請（專利權）人: 江西歐邁斯微電子有限公司
• 主分類號: G02B3/00
• 分類號: G02B3/00
• 代理公司: 北京景聞知識產權代理有限公司 11742
• 代理人: 賈玉姣

1.一種微透鏡陣列，其特征在于，包括：

至少一個基本透鏡，所述基本透鏡被構造為矩形透鏡；

至少一個變形透鏡，多個所述變形透鏡分別相對于所述基本透鏡等比例放大或縮小；

所述基本透鏡和所述變形透鏡無周期性地排布以構成具有矩形外輪廓的所述微透鏡陣列。

2.根據權利要求1所述的微透鏡陣列，其特征在于，所述基本透鏡的長度L和寬度W之比為4：3。

3.根據權利要求1所述的微透鏡陣列，其特征在于，所述基本透鏡和所述變形透鏡在排布時，任意相鄰兩個透鏡的邊緣重合設置。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的微透鏡陣列，其特征在于，每個所述變形透鏡相對于基本透鏡縮小的比例為：1/4、1/3、1/2、2/3、或3/4。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的微透鏡陣列，其特征在于，每個所述變形透鏡相對于基本透鏡放大的比例為：4/1、3/1、2/1、3/2、或4/3。

6.根據權利要求1所述的微透鏡陣列，其特征在于，所述變形透鏡包括m個第一透鏡、n個第二透鏡；

所述微透鏡陣列被構造成如下排布：以一個區域單元進行排列的s*t陣列中，劃分u個第一陣列區域、v個第二陣列區域、y個第三陣列區域，其中所述區域單元的尺寸與所述第一透鏡、所述第二透鏡、所述基本透鏡中尺寸最小的一個相同，

其中，所述第一陣列區域中設置所述第一透鏡，所述第二陣列區域中設置所述第二透鏡，所述第三陣列區域中設置所述基本透鏡，其中任意兩個第一陣列區域之間的邊緣重合長度小于等于所述第一陣列區域的所述邊緣長度；任意兩個第二陣列區域之間的邊緣重合長度小于等于所述第二陣列區域的所述邊緣長度；

其中，m、n、s、t、u、v、y為大于等于0的整數。

7.根據權利要求6所述的微透鏡陣列，其特征在于，所述m為大于等于1的整數，n＝0，第一透鏡相對于基本透鏡等比例縮小1/2；

所述區域單元與所述第一透鏡的尺寸大小相同，所述微透鏡陣列被構造成如下排布：

在以所述區域單元為排列單元的s*t陣列中，選取多個第一陣列區域設置為基本透鏡，所述第一陣列區域為2*2陣列區域，其中任意兩個第一陣列區域之間的邊緣重合長度小于等于沿該邊緣方向延伸的所述第二透鏡的邊長。

8.根據權利要求7所述的微透鏡陣列，其特征在于，所述s和t均為5，所述第一陣列區域包括四個。

9.根據權利要求6所述的微透鏡陣列，其特征在于，所述m、n為大于等于1的整數，第一透鏡相對于基本透鏡等比例縮小2/3，第二透鏡相對于基本透鏡等比例縮小1/3；

所述區域單元與所述第二透鏡的尺寸大小相同，所述微透鏡陣列被構造成如下排布：

在以區域單元進行排列的s*t陣列中，選取u個第一陣列區域設置為第一透鏡，其中第一陣列區域為2*2陣列區域，選取v個第二陣列區域設置為基本透鏡，其中第二陣列區域為3*3陣列區域，u、v為大于等于1的整數，

其中任意兩個第一陣列區域之間的邊緣重合長度小于等于所述第一陣列區域的所述邊緣長度；任意兩個第二陣列區域之間的邊緣重合長度小于等于所述第二陣列區域的所述邊緣長度。

10.根據權利要求9所述的微透鏡陣列，其特征在于，所述s＝12，t＝10，u＝11，v＝6。

11.根據權利要求9所述的微透鏡陣列，其特征在于，所述s＝12，t＝10，u＝14，v＝5。

12.一種透鏡陣列，其特征在于，包括多個根據權利要求1-11中任一項所述的微透鏡陣列，且多個所述微透鏡陣列無周期性地排布以構成具有矩形外輪廓的所述透鏡陣列。