[發(fā)明專利]一種晶圓校準(zhǔn)裝置和方法及一種晶圓邊緣刻蝕設(shè)備和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010036405.6
• 申請(qǐng)日: 2020-01-14
• 公開（公告）號(hào): CN111211078A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵克堅(jiān);陳晉;劉昭;張文杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/68
• 分類號(hào): H01L21/68;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京漢之知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

1.一種晶圓校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述晶圓校準(zhǔn)裝置包括：

校準(zhǔn)環(huán)，所述校準(zhǔn)環(huán)的內(nèi)圈上部設(shè)置有一小端朝下且與所述承載臺(tái)同軸設(shè)置的圓錐孔；

所述圓錐孔的小端有一與所述圓錐孔同軸設(shè)置的圓柱孔，所述圓柱孔的直徑等于所述晶圓直徑與所述設(shè)定同軸度公差之和；

所述圓柱孔的下部設(shè)置有一晶圓承托面，所述晶圓承托面中部開設(shè)有一允許所述承載臺(tái)通過且不允許所述晶圓通過的通道；

所述校準(zhǔn)環(huán)可上下直線移動(dòng)套裝在所述承載臺(tái)的外部，且所述圓柱孔與所述承載臺(tái)同軸設(shè)置；

驅(qū)動(dòng)裝置，所述驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述校準(zhǔn)環(huán)上下移動(dòng)以使所述晶圓承托面在所述承載臺(tái)的頂面上方和頂面下方之間往復(fù)移動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓校準(zhǔn)裝置，其特征在于，包括：

所述晶圓校準(zhǔn)裝置用于將所述晶圓按設(shè)定同軸度公差同軸放置于一圓柱形承載臺(tái)頂部，所述承載臺(tái)的直徑小于所述晶圓直徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述晶圓承托面為一圓環(huán)形臺(tái)階面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述校準(zhǔn)環(huán)的材質(zhì)為陶瓷或玻璃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)裝置包括多個(gè)可以同步動(dòng)作的氣缸，多個(gè)所述氣缸的伸縮主軸向上伸出并與所述校準(zhǔn)環(huán)相連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)裝置包括頂升架和至少一氣缸，所述頂升架上設(shè)置有至少三個(gè)頂桿，所述至少三個(gè)頂桿向上伸出并與所述校準(zhǔn)環(huán)相連接，所述至少一氣缸的伸縮主軸推動(dòng)所述頂升架上下移動(dòng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6任一項(xiàng)所述的晶圓校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述承載臺(tái)安裝于一支座上，所述支座上設(shè)置有與所述頂桿或所述伸縮主軸相匹配的導(dǎo)向套，所述頂桿或所述伸縮主軸上端從所述導(dǎo)向套內(nèi)伸出與所述校準(zhǔn)環(huán)相連。

8.一種晶圓邊緣刻蝕設(shè)備，包括：

射頻功率源、反應(yīng)腔室、承載臺(tái)、移動(dòng)組件；

所述承載臺(tái)安裝在所述反應(yīng)腔室內(nèi)；

所述承載臺(tái)包括下電極和包圍在所述下電極邊緣的下等離子體禁區(qū)環(huán)；

所述下等離子體禁區(qū)環(huán)的外直徑小于待放置晶圓的直徑；

所述移動(dòng)組件可上下移動(dòng)安裝在所述反應(yīng)腔室上部；

所述移動(dòng)組件包括與所述下電極相對(duì)的上電極和包圍在所述上電極邊緣的上等離子體禁區(qū)環(huán)；

其特征在于，還包括：

晶圓校準(zhǔn)裝置，所述晶圓校準(zhǔn)裝置的校準(zhǔn)環(huán)可上下直線移動(dòng)套裝在所述下等離子體禁區(qū)環(huán)的外部，且所述校準(zhǔn)環(huán)的圓柱孔與所述下等離子體禁區(qū)環(huán)同軸設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓邊緣刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述晶圓校準(zhǔn)裝置的驅(qū)動(dòng)裝置包括多個(gè)可以同步動(dòng)作的氣缸，多個(gè)所述氣缸的缸體設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的外部，所述氣缸的伸縮主軸向上伸入至所述反應(yīng)腔室內(nèi)并與所述校準(zhǔn)環(huán)相連接，所述伸縮主軸與所述反應(yīng)腔室的壁體之間設(shè)置有密封結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓邊緣刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述晶圓校準(zhǔn)裝置的驅(qū)動(dòng)裝置包括設(shè)置于所述反應(yīng)腔室外部的頂升架和至少一氣缸，所述頂升架上設(shè)置有至少三個(gè)頂桿，所述至少三個(gè)頂桿向上伸入至所述反應(yīng)腔室內(nèi)并與所述校準(zhǔn)環(huán)相連接，所述頂桿與所述反應(yīng)腔室的壁體之間設(shè)置有密封結(jié)構(gòu)，所述至少一氣缸的伸縮主軸推動(dòng)所述頂升架上下移動(dòng)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10任一項(xiàng)所述的晶圓邊緣刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述承載臺(tái)安裝于一支座上，所述支座上設(shè)置有與所述頂桿或所述伸縮主軸相匹配的導(dǎo)向套，所述頂桿或所述伸縮主軸上端從所述導(dǎo)向套內(nèi)伸出與所述校準(zhǔn)環(huán)相連。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓邊緣刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述下電極上還設(shè)置有用于將所述晶圓托起的頂針組件。