[發明專利]一種低溫快速制備碳酸根型類水滑石單層納米片的方法有效
| 申請號： | 202010036384.8 | 申請日： | 2020-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN111153444B | 公開（公告）日： | 2022-02-15 |
| 發明（設計）人： | 侯萬國;于偉燕;李海平;杜娜 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | C01G53/00 | 分類號： | C01G53/00;C01G51/00;C01F7/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 楊磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 快速 制備 碳酸 根型類水 滑石 單層 納米 方法 | ||
1.一種低溫快速制備碳酸根型類水滑石單層納米片的方法，包括步驟如下：
A．將丙三醇與其可混溶的有機溶劑混合均勻，得到混合溶劑；與丙三醇混溶的有機溶劑為：一縮二乙二醇、聚乙二醇200、乙二醇、聚乙二醇400中的任意一種或兩種，丙三醇與有機溶劑的體積比為1/0.25～1/4；
B．在步驟A的溶劑中加入二價金屬離子鹽和三價金屬離子鹽，攪拌均勻，得混合鹽溶液；
C．在步驟B的溶劑中加入堿源，水浴加熱，常壓下攪拌反應；反應完成后，自然冷卻至室溫；將產物離心分離，乙醇洗滌，獲得碳酸根型HTlc單層納米片凝膠；
所述的堿源為碳酸鈉或碳酸鉀，水浴溫度為60℃～95℃，攪拌時間為10～60分鐘；
D．將步驟C所得碳酸根型HTlc單層納米片凝膠分散在水中，超聲分散，獲得澄清的碳酸根型類水滑石單層納米片分散體系。
2.根據權利要求1所述的低溫快速制備碳酸根型類水滑石單層納米片的方法，其特征在于，步驟B中所述的金屬離子鹽中：二價金屬離子為Ni2+、Co2+、Mg2+中的任何一種，三價金屬離子為Fe3+、Al3+中任意一種或兩種，陰離子為NO3?。
3.根據權利要求1所述的低溫快速制備碳酸根型類水滑石單層納米片的方法，其特征在于，步驟B中二價金屬離子與三價金屬離子的摩爾比為2/1～4/1。
4.根據權利要求1所述的低溫快速制備碳酸根型類水滑石單層納米片的方法，其特征在于，步驟B混合鹽溶液中，二價金屬離子的摩爾濃度為0.003～0.100mol/L。
5.根據權利要求1所述的低溫快速制備碳酸根型類水滑石單層納米片的方法，其特征在于，步驟C中堿源的添加摩爾數與金屬離子總摩爾數之比為1/1～2/1。
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