[發明專利]基板處理裝置在審
| 申請號: | 202010036337.3 | 申請日: | 2020-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN111430270A | 公開(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發明(設計)人: | 木村裕二;甲斐義廣 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置包括:
處理槽,其通過使排列的多個基板浸漬于處理液而對該多個基板進行處理;以及
流體供給部,其在所述處理槽的內部配置于比所述多個基板靠下方的位置,通過噴出流體從而在所述處理槽的內部產生所述處理液的液流,
所述流體供給部具有向在所述多個基板的排列方向上的不同的區域噴出所述流體的多個噴出路徑。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
所述流體供給部供給氣體作為所述流體。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
所述流體供給部包括在與所述多個基板的排列方向正交的方向上與所述多個噴出路徑排列地配置并噴出所述流體的其他的噴出路徑,
所述多個噴出路徑與所述其他的噴出路徑相比內徑較小。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述流體供給部包括噴出板,該噴出板設有彼此劃分出的多個噴出區域,
所述多個噴出區域各自具有多個噴出口,并與所述多個噴出路徑中的對應的噴出路徑連接。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置包括使所述多個噴出路徑移動的移動機構。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述流體供給部包括朝向所述處理槽的內壁噴出所述流體的噴出口。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述流體供給部包括安裝所述噴出路徑的安裝板,
所述安裝板具有多個安裝孔,能夠相對于所述多個安裝孔中的任意的安裝孔安裝所述噴出路徑。
8.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置還包括:
控制部,其控制自所述流體供給部噴出的所述流體的噴出時間和噴出流量中的至少一者。
9.根據權利要求8所述的基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置包括使所述多個噴出路徑移動的移動機構,
所述控制部通過在使所述多個基板浸漬于所述處理槽并自所述多個噴出路徑噴出所述流體的狀態下控制所述移動機構而使所述多個噴出路徑移動,從而變更所述多個噴出路徑的噴出位置。
10.根據權利要求9所述的基板處理裝置,其中,
所述移動機構使所述多個噴出路徑沿著所述多個基板的排列方向移動。
11.根據權利要求10所述的基板處理裝置,其中,
所述控制部以小于所述多個基板之間的距離的行程使所述多個噴出路徑移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





