[發明專利]一種介質波導濾波器的電容耦合結構

在審

• 申請號: 202010036032.2
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN111129671A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 羅曉濤
• 申請（專利權）人: 蘇州海瓷達材料科技有限公司
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20
• 代理公司: 蘇州智品專利代理事務所(普通合伙) 32345
• 代理人: 王利斌

本發明公開了一種介質波導濾波器的電容耦合結構，包括介質本體，所述介質本體的兩端分別設置有用于調節頻率的第一盲孔和第二盲孔，介質本體上還開設有第一盲槽、第二盲槽、第三盲槽和第四盲槽，第一盲槽和第二盲槽構成第一“T”型槽，第三盲槽和第四盲槽構成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的開槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介質本體上呈上下交錯布置。本發明提出了一種結構簡單、易于加工的電容交叉耦合結構，與普通窗口耦合相比其相位相差180°，可以在通帶低端形成一個傳輸零點，在介質波導濾波器中有廣泛應用前景。

技術領域

本發明涉及濾波器技術領域，具體為一種介質波導濾波器的電容耦合結構。

背景技術

隨著Massive MIMO技術在5G通信系統中的應用，陶瓷介質波導濾波器以其小尺寸、輕重量、性能優異的特性被廣泛的使用。由于通信系統越來越嚴格的帶外抑制要求，傳統的切比雪夫濾波器已無法滿足應用要求，具有有限傳輸零點的廣義切比雪夫濾波器是改善濾波器性能的關鍵技術，因而需要在陶瓷介質波導添加交叉耦合結構，形成傳輸零點，增強濾波器的頻率選擇性。

發明內容

本發明的目的在于提供一種介質波導濾波器的電容耦合結構，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種介質波導濾波器的電容耦合結構，包括介質本體，所述介質本體的兩端分別設置有用于調節頻率的第一盲孔和第二盲孔，介質本體上還開設有第一盲槽、第二盲槽、第三盲槽和第四盲槽，第一盲槽和第二盲槽構成第一“T”型槽，第三盲槽和第四盲槽構成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的開槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介質本體上呈上下交錯布置。

優選的，所述第一“T”型槽的開槽深度方向從介質本體的正面朝向背面，第一“T”型槽的開槽深度小于介質本體的厚度；所述第二“T”型槽的開槽深度方向從介質本體的背面朝向正面，第二“T”型槽的開槽深度小于介質本體的厚度。

優選的，所述第一盲孔和第二盲孔的中心軸線相互平行，兩個中心軸線的所在平面為基準面，所述第一盲槽和第三盲槽的長度方向與基準面垂直，第一盲槽和第三盲槽相互之間具有介質厚度，所述第二盲槽和第四盲槽的長度方向與基準面平行。

優選的，所述介質本體的表面附著有金屬化鍍層。

優選的，所述金屬化鍍層采用鍍銀層。

優選的，所述介質本體采用陶瓷介質。

優選的，所述第一盲孔和第二盲孔分別與其周圍填充的介質形成介質波導諧振腔。

優選的，所述第一“T”型槽和第二“T”型槽在介質本體上形成“Z”型截面區。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明提出了一種結構簡單、易于加工的電容交叉耦合結構，與普通窗口耦合相比其相位相差180°，可以在通帶低端形成一個傳輸零點，或選擇合適的拓撲結構形成多種形式的零點分布，在介質波導濾波器中有廣泛應用前景。

附圖說明

圖1為一種介質波導濾波器的電容耦合結構的立體結構示意圖；

圖2為一種介質波導濾波器的電容耦合結構的俯視結構示意圖；

圖3為一種介質波導濾波器的電容耦合結構中“Z”型截面區的結構示意圖；

圖4為耦合強度與第二盲槽和第四盲槽的長度關系圖；

圖5為耦合強度與“T”型槽深度的關系圖；

圖6為耦合強度與第一盲槽和第三盲槽的長度關系圖；

圖7為本實施例的頻率響應波形圖。