[發(fā)明專利]一種高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)與使用該芯體結(jié)構(gòu)的吸收制品

在審

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• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN111150556A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李建靈;陳劍煌
• 申請（專利權(quán)）人: 百潤（中國）有限公司
• 主分類號: A61F13/535
• 分類號: A61F13/535;A61F13/537
• 代理公司: 廈門致群專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35224
• 代理人: 劉兆慶;鄧貴琴

1.一種高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)，包括吸收芯體，其特征在于：所述吸收芯體包括外吸收芯體以及被所述外吸收芯體周向圍合的內(nèi)吸收芯體，在所述外吸收芯體、內(nèi)吸收芯體之間還設(shè)置有環(huán)狀液體擴散導流區(qū)，所述環(huán)狀液體擴散導流區(qū)的一側(cè)沿內(nèi)吸收芯體的外側(cè)周向環(huán)繞所述內(nèi)吸收芯體，而另一側(cè)與沿外吸收芯體的內(nèi)側(cè)周向環(huán)繞所述外吸收芯體，并分別與所述外吸收芯體、內(nèi)吸收芯體側(cè)向連接為一體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)，其特征在于：在所述環(huán)狀液體擴散導流區(qū)內(nèi)設(shè)置沿其厚度方向向內(nèi)凹陷而成的導流凹槽，所述導流凹槽周向環(huán)繞在所述外吸收芯體的內(nèi)側(cè)與內(nèi)吸收芯體的外側(cè)之間而形成環(huán)狀導流凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述吸收芯體為復合吸收芯體，所述環(huán)狀液體擴散導流區(qū)包括第一覆蓋層、蓬松纖維網(wǎng)層、第二覆蓋層，通過上凸輪/下平壓輥自覆蓋表層經(jīng)上、下壓合而成頂部環(huán)狀導流凹槽；或/和通過上平壓輥/下凸輪自覆蓋底層經(jīng)上、下壓合而成的底部環(huán)狀導流凹槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述吸收芯體為混合吸收芯體，在所述混合吸收芯體上設(shè)置由頂部環(huán)狀導流凹槽或/和底部環(huán)狀導流凹槽構(gòu)成的所述環(huán)狀液體擴散導流區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述側(cè)向連接為可分離連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述可分離連接為套合連接，所述套合連接包括沿環(huán)狀液體擴散導流區(qū)的外側(cè)緣或/和內(nèi)側(cè)緣周向設(shè)置的環(huán)狀切痕，所述環(huán)狀切痕使得所述環(huán)狀液體擴散導流區(qū)嵌合在外吸收芯體的內(nèi)側(cè)緣，或/和內(nèi)吸收芯體的外側(cè)緣，使得所述環(huán)狀液體擴散導流區(qū)與外吸收芯體或/和內(nèi)吸收芯體可分離。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述環(huán)狀切痕的深度為自復合吸收芯體的第一覆蓋層貫穿蓬松纖維網(wǎng)層后至第二覆蓋層，或貫穿第二覆蓋層而形成連通的環(huán)狀切痕。

8.根據(jù)權(quán)利要求2-7任一所述的高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導流凹槽的橫截面形狀包括倒梯形、正方形、長方形、V型或弧形。

9.根據(jù)權(quán)利要求2-7任一所述的高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導流凹槽的深度為所述環(huán)狀液體擴散導流區(qū)厚度的20％-80％，寬度為5-35mm。

10.一種吸收制品，包含透液性面層、不透液性底層以及位于透液性面層與不透液性底層之間的吸收層，其特征在于：所述吸收層設(shè)有如權(quán)利要求1-9任一所述的高吸收高擴散的芯體結(jié)構(gòu)。