[發明專利]一種提高環行器諧波抑制性能的方法及環行器

有效

• 申請號: 202010035765.4
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN111129676B
• 公開（公告）日: 2022-01-21
• 發明（設計）人: 吳燕輝;吳炎驚;胡世鵬;張如
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第九研究所;華為技術有限公司
• 主分類號: H01P1/212
• 分類號: H01P1/212;H01P1/38
• 代理公司: 綿陽市博圖知識產權代理事務所(普通合伙) 51235
• 代理人: 楊暉瓊

1.一種提高環行器諧波抑制性能的方法，其特征在于：包括下述步驟：

1）將環行器外加磁場強度加大，使環行器內場比不低于1.6；

2）將環行器中鐵氧體基片換為鐵氧體-高介電陶瓷復合基片；

3）將環行器中心導體端口匹配輸出電路設置為并聯1/8～1/4二次諧波波長的開路線加載高介電陶瓷結構；

其中，步驟3)中，各個端口匹配輸出電路由電感型輸出傳輸線加載開路傳輸線構成，且至少有一個開路傳輸線位于高介電套陶瓷加載的區域，開路傳輸線的電長度為二次諧波的1/8～1/4波長。

2.根據權利要求1所述的提高環行器諧波抑制性能的方法，其特征在于：步驟2)中，所述鐵氧體-高介電陶瓷復合基片由高介電陶瓷環嵌套鐵氧體柱片構成。

3.根據權利要求2所述的提高環行器諧波抑制性能的方法，其特征在于：所述鐵氧體-高介電陶瓷復合基片為圓柱形。

4.根據權利要求2所述的提高環行器諧波抑制性能的方法，其特征在于：所述高介電陶瓷環的介電常數范圍是15-50。

5.一種具有高諧波抑制性能的環行器，包括腔體和位于腔體內的永磁體、接地板、旋磁基片、中心導體和溫度補償片，所述腔體上方設置蓋板，其特征在于：所述旋磁基片包括鐵氧體和高介電陶瓷環，所述高介電陶瓷環嵌套于所述鐵氧體的外周；所述中心導體包括中心結、電感型傳輸線和輸出端口E,在所述鐵氧體區域并聯諧波1/8～1/4波長的開路線，在所述高介電陶瓷區域并聯二次諧波1/8～1/4波長的開路線。

6.根據權利要求5所述的一種具有高諧波抑制性能的環行器，其特征在于，所述高介電陶瓷環的介電常數范圍是15-50。