[發明專利]調整鎳基高溫合金中η相分布的晶界工程工藝方法在審
| 申請號： | 202010035476.4 | 申請日： | 2020-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN111020428A | 公開（公告）日： | 2020-04-17 |
| 發明（設計）人： | 李慧;師夢杰;毛強;鄭合鳳 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | C22F1/10 | 分類號： | C22F1/10 |
| 代理公司： | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顧勇華 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調整 高溫 合金 分布 工程 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種調整鎳基高溫合金中η相分布的晶界工程工藝方法，其特征在于：包括以下步驟：
a.將GH984合金隨爐升溫至1100℃，并保溫至少1h，然后空冷，完成初次熱處理；
b.對完成在所述步驟a中的初次熱處理的GH984合金進行5-7.5％的冷加工變形加工；
c.對在所述步驟b中完成加工的GH984合金進行再結晶退火熱處理，在1100℃下保溫5-15min，然后進行空冷，從而將GH984合金中低ΣCSL晶界的比例提高到不低于70％。
2.根據權利要求1所述調整鎳基高溫合金中η相分布的晶界工程工藝方法，其特征在于：在所述步驟c中，將GH984合金中低ΣCSL晶界的比例提高到不低于76.6％。
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