[發(fā)明專利]一種單/多晶硅切割廢料的綜合處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010035414.3 | 申請日： | 2020-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN111196696B | 公開（公告）日： | 2022-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡拓平;方勇;王瑩蓉;吳海濤;張平 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇匯豐混凝土有限公司 |
| 主分類號： | C04B28/00 | 分類號： | C04B28/00;C04B18/04 |
| 代理公司： | 蘇州簡專知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32406 | 代理人： | 蘭仙梅 |
| 地址： | 223800 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 切割 廢料 綜合 處理 方法 | ||
1.一種單/多晶硅切割廢料的綜合處理方法，其特征在于：所述綜合處理方法包括以下步驟：
（1）將單/多晶硅切割廢料與粉煤灰混合，采用隧道爐作為烘干設(shè)備，隧道爐中采用自然排風(fēng)；
（2）烘干過程中，在煙氣排出通道中加裝脫磷噴霧料床，所述料床采用噴霧的石灰石料床；
（3）將單/多晶硅切割廢料和粉煤灰粉料經(jīng)過烘干、脫磷處理后，與水泥、黃砂、碎石或卵石、鋁酸鈉和水混合攪拌均勻后，用免燒磚機(jī)制成磚坯，在溫度為45-50攝氏度下養(yǎng)護(hù)6小時；
（4）將步驟（3）制備的磚坯在溫度140～150攝氏度，壓力1～1.2兆帕下，進(jìn)一步蒸壓養(yǎng)護(hù)8-10小時，制備成免燒磚，完成單/多晶硅切割廢料的綜合處理；
所述制備免燒磚坯所需各原料組分的按照重量份：
經(jīng)處理的單/多晶硅切割廢料和粉煤灰混合粉料 30～40份
水泥 18～28份
黃砂 17～32份
碎石或卵石 13～20份
鋁酸鈉 0.06～0.08份
水 9～18份。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單/多晶硅切割廢料的綜合處理方法，其特征在于：所述單/多晶硅切割廢料與粉煤灰按重量比1：2～3的比例混合，攪拌，所述烘干過程在60-80攝氏度隧道爐中烘干，所述烘干時間為2-3小時。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單/多晶硅切割廢料的綜合處理方法，其特征在于：所述單/多晶硅切割廢料來自半導(dǎo)體工業(yè)和太陽能產(chǎn)業(yè)用單晶硅和多晶硅片切削加工過程中產(chǎn)生的廢料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單/多晶硅切割廢料的綜合處理方法，其特征在于：所述脫磷原料采用采石場排放的含有黏土物質(zhì)的石灰石粉。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單/多晶硅切割廢料的綜合處理方法，其特征在于：所述碎石或卵石根據(jù)JGJ53-92行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中所述的重量標(biāo)準(zhǔn)和檢驗方法進(jìn)行選取，碎石或卵石經(jīng)過破碎且最大粒徑不超過5毫米。
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