[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010035212.9
• 申請(qǐng)日: 2020-01-13
• 公開（公告）號(hào): CN113113464B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 請(qǐng)求不公布姓名
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 林韻英

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；

若干第一半導(dǎo)體區(qū)域，所述第一半導(dǎo)體區(qū)域是第二導(dǎo)電類型，設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層內(nèi)，所述若干第一半導(dǎo)體區(qū)域在第一方向上延伸；

間隔設(shè)置的若干第二半導(dǎo)體區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域是第二導(dǎo)電類型，在第二方向延伸，設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層內(nèi)且位于相鄰的兩個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域之間，與相鄰的兩個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域接觸，所述第二方向與所述第一方向垂直，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的厚度小于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的摻雜濃度為1*10¹⁵cm^-3-1*10¹⁸cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的摻雜濃度為5*10¹⁶cm^-3-5*10²⁰cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的長度小于2μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層由寬禁帶半導(dǎo)體制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述寬禁帶半導(dǎo)體的材料為碳化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括：

MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管、金屬氧化物半導(dǎo)體控制的晶閘管。

8.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，包括：

形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；

在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層內(nèi)形成若干第一半導(dǎo)體區(qū)域，所述第一半導(dǎo)體區(qū)域是第二導(dǎo)電類型，所述若干第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體區(qū)域在第一方向上延伸；

在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層內(nèi)形成間隔的若干第二半導(dǎo)體區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域是第二導(dǎo)電類型，在第二方向上延伸，位于相鄰的兩個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域之間，與相鄰的兩個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域接觸，所述第二方向與所述第一方向垂直，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的厚度小于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層內(nèi)形成若干第一半導(dǎo)體區(qū)域，包括：

通過離子注入的方法在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層內(nèi)形成若干第一半導(dǎo)體區(qū)域，其中，所述第一半導(dǎo)體區(qū)域是第二導(dǎo)電類型，所述若干第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體區(qū)域在第一方向上延伸。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層內(nèi)形成若干第一半導(dǎo)體區(qū)域，包括：

通過傾斜離子注入的方法在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層內(nèi)形成若干第一半導(dǎo)體區(qū)域，其中，所述第一半導(dǎo)體區(qū)域是第二導(dǎo)電類型，所述若干第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體區(qū)域在第一方向上延伸。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層內(nèi)形成若干第二半導(dǎo)體區(qū)域，包括：

通過離子注入的方法在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層內(nèi)形成若干第二半導(dǎo)體區(qū)域，其中，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域是第二導(dǎo)電類型，在第二方向上延伸，位于相鄰的兩個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域之間，與相鄰的兩個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，包括：

采用寬禁帶半導(dǎo)體形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。