[發明專利]一種邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法

在審

• 申請號: 202010034480.9
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN111223770A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 楊小天;沈兆偉;陸璐;岳廷峰;閆興振;王超;趙春雷;遲耀丹;高曉紅;朱慧超;楊帆;任偉;王艷杰;劉建文;王冶
• 申請（專利權）人: 吉林建筑大學
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/283
• 代理公司: 長春眾邦菁華知識產權代理有限公司 22214
• 代理人: 周蕾

1.一種邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法，其特征在于，該方法是采用3D打印方法與光刻技術結合生長邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料。

2.根據權利要求1所述的邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

步驟1、在襯底上利用傳統光刻技術光刻圖案化電極結構；

步驟2、采用3D打印方法打印電極墨水并固化成膜；

步驟3、去膠后獲得邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料。

3.根據權利要求2所述的邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法，其特征在于，步驟1具體為：將襯底置于勻膠儀，在其上滴光刻膠，旋涂，軟烘；接著將固化光刻膠的襯底用掩膜版遮蓋，曝光，顯影，獲得圖案化電極結構。

4.根據權利要求3所述的邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法，其特征在于，勻膠儀的轉速500r/min，轉10s，然后升至2000r/min，轉20s。

5.根據權利要求3所述的邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法，其特征在于，軟烘的溫度為65-90℃，時間為5-30分鐘。

6.根據權利要求3所述的邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法，其特征在于，曝光的時間是15s。

7.根據權利要求3所述的邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法，其特征在于，顯影的時間為8s。

8.根據權利要求2所述的邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法，其特征在于，步驟2具體為：利用3D打印設備，將電極墨水灌入針體，通過電腦屏幕觀察移動針尖至接觸襯底，設置相關參數，超聲諧振打印覆蓋電極墨水，打印區域無需精確對準，電極墨水層覆蓋圖案化電極區域便可，重復打印，直至打印至所需電極厚度。

9.根據權利要求8所述的邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法，其特征在于，3D打印設備的參數設置為：打印速度為0.3-0.5mm/s，打印次數為2-3次，打印厚度為40-60nm。

10.根據權利要求2所述的邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料生長方法，其特征在于，步驟3具體為：采用丙酮溶劑剝離，除去光刻膠及其上打印并固化的電極墨水，即獲得邊緣整齊、光滑的圖案化薄膜電極材料。