[發明專利]具有空間分布的氣體通道的氣流控制襯墊

有效

• 申請號: 202010034452.7
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN111211074B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 穆罕默德·圖格魯利·薩米爾;劉樹坤
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本公開內容的實施方式提供一種襯墊組件，所述襯墊組件包括多個各自分開的氣體通道。所述襯墊組件能實現遍及待處理的基板上的流動參數的可保持性，這些流動參數諸如速度、密度、方向和空間位置。可利用根據本公開內容的實施方式的襯墊組件，對遍及待處理的基板上的處理氣體進行特別地調整，以適用于單獨的工藝。

本申請是申請日為2014年4月21日申請的申請號為201480024290.1，并且發明名稱為“具有空間分布的氣體通道的氣流控制襯墊”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本公開內容的實施方式大體涉及用于處理半導體基板的設備和方法。具體地，本公開內容的實施方式涉及用于改良處理腔室中氣流分配的設備和方法。

背景技術

一些用于制造半導體裝置的工藝是在高溫下執行，所述工藝例如為快速熱處理、外延沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積、電子束固化。通常受處理的基板由一個或更多個熱源加熱至處理腔室中的期望溫度。所述一個或更多個熱源一般安裝在腔室主體外側，使得由這些熱源產生的能量輻射在定位于腔室主體內的基板上。處理氣體通常從氣體入口供應至腔室，且由連接至處理腔室的泵送系統維持處理氣體在腔室主體內流動。傳統腔室中的氣體分配在遍及整個處理區域中是不均勻的。舉例而言，接近氣體入口的氣體分配不同于接近泵送口的氣體分配，且接近邊緣區域的氣體分配不同于接近中央區域的氣體分配。盡管基板的連續旋轉可減少氣體分配的不均勻性，但當均勻性的需求增加時，單單只靠旋轉可能是不夠的。

因此，需要一種具有改良的氣流分配的熱處理腔室。

發明內容

本公開內容的實施方式大體上提供用于在高溫下處理一個或更多個基板的設備和方法。具體地，本公開內容的實施方式涉及用于將一種或更多種處理氣體分配至處理腔室的設備和方法。

本公開內容的一個實施方式提供一種用于保護基板處理腔室的內表面的襯墊組件。所述襯墊組件包括環形主體，所述環形主體具有外表面和內表面，所述環形主體的外表面的尺寸被設計成由基板處理腔室的內表面所接收，所述環形主體的內表面界定基板處理容積。所述環形主體包括多個氣體通道，這些氣體通道將所述外表面連接至基板處理容積，且所述多個氣體通道的每一個被設計成與氣體注射器連接且被設計成調節氣流。

本公開內容的一個實施方式提供一種用于處理基板的設備。所述設備包括腔室主體，所述腔室主體形成腔室殼體(enclosure)，其中所述腔室主體包括：形成在相對側的注射開口和排氣開口；和基板開口，所述基板開口形成在所述注射開口與所述排氣開口之間。所述設備還包括：氣體入口，所述氣體入口設置在所述注射開口中；基板支撐件，所述基板支撐件設置在所述腔室殼體中；和襯墊組件，所述襯墊組件用于保護所述腔室主體的內表面且用于調節所述氣體入口的氣流。所述襯墊組件包括環形主體，所述環形主體具有外表面和內表面，所述環形主體的外表面的尺寸被設計成由所述腔室主體的內表面所接收，所述環形主體的內表面界定基板處理容積，所述環形主體包括多個氣體通道，這些氣體通道將所述外表面連接至基板處理容積，且所述多個氣體通道的每一個被設計成與氣體注射器連接且被設計成調節氣流。

本公開內容的另一個實施方式提供一種用于處理基板的方法。所述方法包括：將來自多個加熱元件的輻射能量導向基板處理腔室的殼體，和使用多個氣體通道調節處理氣流，這些氣體通道形成在襯墊組件中，所述襯墊組件設置于處理腔室中。所述襯墊組件包括環形主體，所述環形主體具有外表面和內表面，所述環形主體的外表面的尺寸被設計成由腔室主體的內表面所接收，所述環形主體的內表面界定基板處理容積，所述環形主體包括多個氣體通道，這些氣體通道將外表面連接至基板處理容積，且所述多個氣體通道的每一個被設計成與氣體注射器連接且被設計成調節氣流。

附圖說明

可通過參照實施方式(一些實施方式描繪于附圖中)，來詳細理解本公開內容的上述特征以及于上文簡要概述的有關本公開內容更特定的描述。然而，應注意附圖僅圖示本公開內容的典型實施方式，因而不應將這些附圖視為限制本公開內容的范圍，因為本公開內容可允許其它等效的實施方式。