[發明專利]集成抗PID裝置的板式PECVD系統及鈍化鍍膜方法在審
| 申請號： | 202010033705.9 | 申請日： | 2020-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN111206239A | 公開（公告）日： | 2020-05-29 |
| 發明（設計）人： | 于義超;陳斌;張俊兵 | 申請（專利權）人： | 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/54 | 分類號： | C23C16/54;C23C16/50;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/46;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天達知識產權代理事務所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 叢洪杰 |
| 地址： | 225009 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成 pid 裝置 板式 pecvd 系統 鈍化 鍍膜 方法 | ||
1.一種集成抗PID裝置的板式PECVD系統，其特征在于，沿著物料傳輸方向包括進料倉、用于沉積鈍化膜的抗PID裝置、PECVD工藝倉和出料倉；
所述抗PID裝置包括用于提供O2或壓縮空氣的氣瓶、用于誘發O2產生O3的誘導裝置和鈍化倉；所述誘導裝置設于所述鈍化倉內，能夠在常溫下誘發O2產生O3；
所述氣瓶和所述鈍化倉之間通過管路連接，所述進料倉、所述鈍化倉、所述PECVD工藝倉和所述出料倉內均設有傳輸裝置。
2.根據權利要求1所述的集成抗PID裝置的板式PECVD系統，其特征在于，所述誘導裝置包括紫外燈。
3.根據權利要求1所述的集成抗PID裝置的板式PECVD系統，其特征在于，所述進料倉內設有加熱裝置，用于預熱物料。
4.根據權利要求1所述的集成抗PID裝置的板式PECVD系統，其特征在于，所述鈍化倉內設有壓力傳感器。
5.根據權利要求1所述的集成抗PID裝置的板式PECVD系統，其特征在于，進料倉、鈍化膜倉、PECVD工藝倉和出料倉的每個倉門前均設置有位置傳感器，通過所述位置傳感器自動實現各個倉門的開啟和關閉。
6.根據權利要求1-5任一項所述的集成抗PID裝置的板式PECVD系統，其特征在于，所述抗PID裝置還包括流量控制器和控制閥，所述流量控制器和所述控制閥設于所述氣瓶和所述鈍化倉之間的管路上。
7.根據權利要求1所述的集成抗PID裝置的板式PECVD系統，其特征在于，所述PECVD工藝倉包括加熱區、成膜工藝區和降溫區。
8.一種鈍化鍍膜方法，其特征在于，采用權利要求1-7所述的集成抗PID裝置的板式PECVD系統，包括如下步驟：
步驟1：物料進入進料倉進行第一次預熱；
步驟2：預熱后的物料進入鈍化倉；
步驟3：向鈍化倉內通入氧氣，打開誘導裝置，物料表面形成鈍化膜；
步驟4：表面形成鈍化膜的物料進入PECVD工藝倉，在加熱區內對物料進行第二次預熱；
步驟5：經過第二次預熱的物料依次經過成膜工藝區和降溫區。
9.根據權利要求7所述的鈍化鍍膜方法，其特征在于，步驟1中，第一次預熱的溫度為300～450℃；步驟4中，第二次預熱的溫度為300～450℃。
10.根據權利要求7所述的鈍化鍍膜方法，其特征在于，步驟5之后還包括步驟6：出料倉內通入氣體，打開倉門，硅片進入下一工序。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
