[發明專利]一種半模微帶天線及電子設備有效
| 申請號: | 202010032372.8 | 申請日: | 2020-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN111129757B | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發明(設計)人: | 王來軍;胡瀝 | 申請(專利權)人: | 上海安費諾永億通訊電子有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q9/04 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
| 地址: | 201108 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 微帶 天線 電子設備 | ||
1.一種半模微帶天線,其特征在于,包括:從上到下依次設置的輻射貼片、介質層、地板,所述輻射貼片向所述地板的垂直投影位于所述地板內;
所述輻射貼片與所述地板之間還設有饋電點,所述饋電點直接激勵或耦合激勵所述輻射貼片;其中,
所述輻射貼片一側的側邊位于天線腔膜TM10模式、TM20模式、TM02模式和TM12模式的磁壁上,所述饋電點位于所述側邊上除側邊中點、四等分點外的任意一位置,用以同時激勵天線TM10模式、TM20模式、TM02模式和TM12模式工作。
2.根據權利要求1所述的半模微帶天線,其特征在于,所述輻射貼片與所述地板之間還設有第一可調器件,所述第一可調器件的兩端分別與所述地板、所述輻射貼片電連接,其中,所述第一可調器件與所述輻射貼片電連接的位置位于所述輻射貼片上所述TM20模式、所述TM02模式和所述TM12模式的電場強度均最弱的位置,用以調諧所述TM10模的諧振頻率。
3.根據權利要求2所述的半模微帶天線,其特征在于,所述第一可調器件為可調電容或可調電感。
4.根據權利要求2所述的半模微帶天線,其特征在于,所述輻射貼片與所述地板之間還設有第二可調器件,所述第二可調器件的兩端分別與所述地板、所述輻射貼片電連接,其中,所述第二可調器件與所述輻射貼片電連接的位置位于所述輻射貼片上所述TM10模式、所述TM12模式的電場強度均最弱的位置,用以調諧所述TM20模式、所述TM02模式的諧振頻率。
5.根據權利要求4所述的半模微帶天線,其特征在于,所述輻射貼片上所述TM10模式、所述TM12模式的電場強度均最弱的位置為所述饋電點所在的所述側邊的中點位置。
6.根據權利要求4所述的半模微帶天線,其特征在于,所述第二可調器件為可調電容或可調電感。
7.根據權利要求1-6任意一項所述的半模微帶天線,其特征在于,所述輻射貼片與所述地板之間還設有寄生貼片,所述介質層包括第一介質層與第二介質層,所述寄生貼片位于所述第一介質層與所述第二介質層之間,其中,所述寄生貼片上與所述饋電點對應的位置開設有反焊盤。
8.一種電子設備,其特征在于,包括如權利要求1-7任意一項所述的半模微帶天線。
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