[發明專利]三維存儲器及三維存儲器的制作方法

有效

• 申請號: 202010032258.5
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111244097B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 謝柳群;楊川;許波;殷姿;吳智鵬
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

第一層疊結構，設置在所述襯底上，在第一方向上依次包括臺階區及堆疊區；

第一臺階結構，形成在所述第一層疊結構的臺階區上；

第二層疊結構，設置在所述第一層疊結構的堆疊區上，在所述第一方向上依次包括核心區及臺階區；

第二臺階結構，形成在所述第二層疊結構的臺階區上；

其中，所述第一方向是平行于所述襯底表面的方向，所述第一臺階結構僅設置在所述第一層疊結構的一側，所述第二臺階結構僅設置在所述第二層疊結構遠離所述第一臺階結構的一側。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一層疊結構和所述第二層疊結構包括多層交替層疊的介質層和柵極層。

3.根據權利要求2所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一臺階結構包括多層第一臺階，每層所述第一臺階包括一層所述柵極層且每層所述第一臺階的頂面暴露出所述柵極層；所述第二臺階結構包括多層第二臺階，每層所述第二臺階包括一層所述柵極層且每層所述第二臺階的頂面暴露出所述柵極層。

4.根據權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

存儲陣列結構，設置在所述第二層疊結構的核心區及所述第一層疊結構中與所述第二層疊結構的核心區對應的區域中，包括多個存儲單元。

5.根據權利要求3或4所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括覆蓋介質層，所述覆蓋介質層覆蓋所述第一臺階結構、第二層疊結構的核心區及第二臺階結構。

6.根據權利要求5所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

第一導電插塞，設置在所述覆蓋介質層中且與一層所述第一臺階中的柵極層接觸；

第二導電插塞，設置在所述覆蓋介質層中且與一層所述第二臺階中的柵極層接觸。

7.一種三維存儲器的制作方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底；

在所述襯底上形成第一層疊結構，所述第一層疊結構在第一方向上依次包括臺階區及堆疊區；

在所述第一層疊結構的臺階區上形成第一臺階結構；

在所述第一層疊結構的堆疊區上形成第二層疊結構，所述第二層疊結構在所述第一方向上依次包括核心區及臺階區；

在所述第二層疊結構的臺階區上形成第二臺階結構；

其中，所述第一方向是平行于所述襯底表面的方向，所述第一臺階結構僅設置在所述第一層疊結構的一側，所述第二臺階結構僅設置在所述第二層疊結構遠離所述第一臺階結構的一側。

8.根據權利要求7所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成所述第一層疊結構的步驟包括：

在所述襯底上形成多層交替層疊的介質層和偽柵極層；

刻蝕去除所述偽柵極層，在對應位置形成柵極層，得到所述第一層疊結構。

9.根據權利要求8所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于，在所述第一層疊結構的臺階區上形成所述第一臺階結構的步驟包括：

對所述第一層疊結構的臺階區進行分步刻蝕，得到多層第一臺階，每層所述第一臺階包括一層所述柵極層且每層所述第一臺階的頂面暴露出所述柵極層。

10.根據權利要求9所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于，在所述第一層疊結構的堆疊區上形成所述第二層疊結構步驟包括：

在所述第一層疊結構上形成下層覆蓋介質層，所述下層覆蓋介質層覆蓋所述第一臺階結構及所述第一層疊結構的堆疊區；

在所述第一層疊結構的堆疊區上形成多層交替層疊的所述介質層和所述偽柵極層；

刻蝕去除所述偽柵極層，在對應位置形成柵極層，得到所述第二層疊結構。