[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、用于半導(dǎo)體器件的超級結(jié)結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010032137.0
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN113113463B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權(quán)）人: 清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/872;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/266
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 劉靜

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

漂移區(qū)；

超級結(jié)結(jié)構(gòu)，位于所述漂移區(qū)內(nèi)；

在第二方向多個交替設(shè)置的第一導(dǎo)電類型柱和第二導(dǎo)電類型柱，所述第一導(dǎo)電類型柱和所述第二導(dǎo)電類型柱間隔設(shè)置；

其中所述第一導(dǎo)電類型柱和第二導(dǎo)電類型柱沿第一方向延伸；

所述第一導(dǎo)電類型柱是P型柱，第二導(dǎo)電類型柱是N型柱；所述第一導(dǎo)電類型柱內(nèi)的摻雜濃度沿第一導(dǎo)電類型柱的深度方向依次降低，所述第二導(dǎo)電類型柱內(nèi)的摻雜濃度沿第二導(dǎo)電類型柱的深度方向先降低后升高。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型柱包括至少2個部分，最下側(cè)部分的摻雜濃度為1＊10¹⁵cm^－3－5＊10¹⁷cm^－3，最上側(cè)部分的摻雜濃度大于1＊10¹⁹cm^－3；

所述第二導(dǎo)電類型柱包括至少3個部分，最下側(cè)部分的摻雜濃度為1＊10¹⁵cm^－3－5＊10¹⁷cm^－3，中間部分的摻雜濃度小于最下側(cè)部分的摻雜濃度，最上側(cè)部分的摻雜濃度為1＊10¹⁵cm^－3－5＊10¹⁷cm^－3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

襯底；

緩沖區(qū)，設(shè)置在所述襯底上，所述緩沖區(qū)的摻雜濃度小于所述襯底的摻雜濃度；

所述漂移區(qū)設(shè)置在所述緩沖區(qū)上，所述漂移區(qū)的摻雜濃度小于所述緩沖區(qū)的摻雜濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件為MOSFET，其特征在于，還包括：

柵極；

源極；以及

漏極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件為肖基特二極管，其特征在于，還包括：

陰極；以及

陽極。