[發明專利]LED芯片結構及其制作方法有效
| 申請號： | 202010031515.3 | 申請日： | 2020-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN111200046B | 公開（公告）日： | 2022-06-03 |
| 發明（設計）人： | 李祈昕;劉寧煬;陳志濤;李葉林;曾昭燴;任遠;曾巧玉 | 申請（專利權）人： | 廣東省半導體產業技術研究院 |
| 主分類號： | H01L33/46 | 分類號： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 嚴誠 |
| 地址： | 510000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 芯片 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種LED芯片結構的制作方法，其特征在于，包括：
在襯底上形成逐層連接的n型層、多量子阱層、p型層；
在p型層沉積形成金屬反射鏡，對所述p型層上沉積形成的所述金屬反射鏡進行退火；
對所述金屬反射鏡的表面進行平滑化處理；
在所述金屬反射鏡的表面沉積形成金屬阻擋層；
對所述金屬反射鏡和所述金屬阻擋層共同進行退火，退火溫度為100℃至300℃，退火時間為1分鐘至30分鐘；
制作絕緣層、n電極以及p電極，以得到所述LED芯片結構。
2.根據權利要求1所述的LED芯片結構的制作方法，其特征在于，所述平滑化處理包括氧化刻蝕、等離子體轟擊、超聲處理、研磨拋光、激光蝕刻、溶液腐蝕、沉積金屬過渡層中的至少一種方式。
3.根據權利要求1所述的LED芯片結構的制作方法，其特征在于，在所述金屬反射鏡的表面沉積形成金屬阻擋層，包括：
采用電子束蒸發或磁控濺射工藝在所述金屬反射鏡的表面沉積一層阻擋層金屬，通過光刻、濕法/干法蝕刻或金屬剝離工藝形成所述金屬阻擋層。
4.根據權利要求1所述的LED芯片結構的制作方法，其特征在于，對所述金屬反射鏡和所述金屬阻擋層共同進行退火的氛圍為氮氣、氬氣、真空、空氣中的一種或多種的組合。
5.根據權利要求1所述的LED芯片結構的制作方法，其特征在于，所述金屬反射鏡的材質為Ag、Al、Pb、Ni、Rh、Pt、Au、Ti中的一種或多種的合金。
6.根據權利要求1所述的LED芯片結構的制作方法，其特征在于，所述金屬阻擋層的材質為Ti、Ta、Ni、Al、Au、Pt、Pb、W、TiW、TiN、TaN中的一種或多種的合金。
7.根據權利要求1所述的LED芯片結構的制作方法，其特征在于，制作絕緣層、n電極以及p電極，以得到所述LED芯片結構的步驟包括：
采用刻蝕工藝去除目標區域的所述p型層、所述多量子阱層及部分所述n型層，露出n型層表面；
在所述金屬阻擋層表面、所述n型層表面、所述p型層表面以及所述目標區域的側壁上沉積絕緣層；
采用刻蝕工藝去除電極制作區域的所述絕緣層，形成露出所述n型層表面的n電極接觸開口區以及露出所述金屬阻擋層的p電極接觸開口區；
在所述n電極接觸開口區、所述p電極接觸開口區分別形成接觸所述n型層表面的所述n電極以及接觸所述金屬阻擋層的所述p電極。
8.一種LED芯片結構，其特征在于，所述LED芯片結構利用權利要求1-7中任一項所述的LED芯片結構的制作方法制得。
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