[發明專利]韌性基底均勻伸展的模擬方法、裝置和設備

有效

• 申請號: 202010031383.4
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111209680B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 劉志娜;孫倩倩;徐浩然;陳書平
• 申請（專利權）人: 中國石油大學(北京);清華大學
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F111/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 周達;劉飛

1.一種韌性基底均勻伸展的模擬方法，其特征在于，包括：

獲取目標區域的地質參數；

根據所述目標區域的地質參數，構建第一離散元數值模擬模型，其中，所述第一離散元數值模擬模型包括模擬基底和模擬地層，所述模擬基底包括韌性基底；

基于所述第一離散元數值模擬模型，確定在不同的模擬過程參數下所述第一離散元數值模擬模型的第一模擬結果；

根據所述第一模擬結果，確定所述目標區域中所述韌性基底在均勻伸展變形過程中所述模擬地層的變形特征；

其中，所述根據所述目標區域的地質參數，構建第一離散元數值模擬模型，包括：

根據所述地質參數，確定所述目標區域的韌性基底與剛性基底的分界點、基底屬性；

根據所述目標區域的基底屬性和韌性基底與剛性基底的分界點，構建模擬基底和側向邊界，其中，所述模擬基底包括：韌性基底和剛性基底；

基于所述模擬基底和側向邊界，構建與均勻伸展變形所需地質參數相適應的模擬地層；

獲取所述目標區域的巖石力學參數、基底與邊界力學參數；

根據所述目標區域的巖石力學參數、所述基底與邊界力學參數、所述模擬基底、側向邊界和所述模擬地層，構建所述第一離散元數值模擬模型。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述模擬地層包括：模擬蓋層、所述模擬基底、同沉積地層和所述側向邊界；其中，所述同沉積地層位于所述模擬基底的上側，所述模擬蓋層位于所述模擬基底和所述側向邊界之內，所述模擬蓋層包括：厚層巖層、層間薄弱層，所述模擬蓋層與所述側向邊界之間具有符合巖石力學性質的接觸關系。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述目標區域的基底屬性和韌性基底與剛性基底的分界點構建模擬基底，包括：

根據所述目標區域的基底屬性，分別調整所述韌性基底和所述剛性基底的特征數據，得到調整后的韌性基底和剛性基底，其中，所述特征數據包括以下至少之一：基底材料位置、基底的總長度、顆粒的位置、顆粒的粒徑、摩擦系數、彈性模量、泊松比；

根據所述調整后的韌性基底和剛性基底，基于所述韌性基底與剛性基底的分界點構建模擬基底。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述韌性基底由在水平方向上直線排列的多個相同粒徑的顆粒組成，其中，所述多個相同粒徑的顆粒中相鄰的顆粒彼此重疊，所述多個相同粒徑的顆粒中位于正中間的顆粒的速度為0。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在基于所述第一離散元數值模擬模型，確定在不同的模擬過程參數下所述第一離散元數值模擬模型的第一模擬結果之后，還包括：

將所述第一離散元數值模擬模型中的韌性基底替換為剛性基底，得到第二離散元數值模擬模型；

基于所述第二離散元數值模擬模型，確定在不同的模擬過程參數下所述第二離散元數值模擬模型的第二模擬結果。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在根據所述第一模擬結果，確定所述目標區域中所述韌性基底在均勻伸展變形過程中所述模擬地層的變形特征之后，還包括：

根據所述第二模擬結果，確定所述目標區域中剛性基底在均勻伸展變形過程中所述模擬地層的變形特征；

對比所述韌性基底在均勻伸展變形過程中所述模擬地層的變形特征和所述剛性基底在均勻伸展變形過程中所述模擬地層的變形特征，確定所述目標區域中基底的性質。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述模擬過程參數包括以下至少之一：模擬過程的伸展方式、伸展速度、伸展量、蓋層的總厚度、同沉積地層的沉積速度、同沉積地層的厚度、基底與邊界力學參數。