[發明專利]一種晶片承載裝置及刻蝕設備

有效

• 申請號: 202010031142.X
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN113113342B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 王子榮;陸前軍;陳術文
• 申請（專利權）人: 廣東中圖半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/673;H01L21/67
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

1.一種晶片承載裝置，其特征在于，包括放置有晶片(10)的托盤(1)，以及置于所述托盤(1)上且壓緊所述晶片(10)的蓋板(2)，所述托盤(1)和所述蓋板(2)之間絕緣設置并形成電容；

所述托盤(1)與所述蓋板(2)之間形成間隙，并通過所述間隙絕緣；

所述托盤(1)上開設有沉頭孔，所述蓋板(2)上開設螺紋孔，通過緊固件(3)穿過所述托盤(1)并與所述蓋板(2)螺紋連接，且所述托盤(1)和所述蓋板(2)之間預留一定距離以形成所述間隙，所述緊固件(3)與所述托盤(1)和所述蓋板(2)中的至少一個絕緣；

所述托盤(1)和所述蓋板(2)之間設置絕緣塊(4)，所述絕緣塊(4)厚度稍大于或等于所述間隙的距離，所述絕緣塊(4)用于支撐所述蓋板(2)。

2.根據權利要求1所述的晶片承載裝置，其特征在于，所述間隙內設置所述絕緣塊(4)的同時還可以填充絕緣氣體，所述托盤(1)與所述蓋板(2)之間通過所述絕緣塊(4)和所述絕緣氣體絕緣。

3.根據權利要求1所述的晶片承載裝置，其特征在于，所述托盤(1)和所述蓋板(2)形成所述間隙的表面均附有絕緣膜層。

4.根據權利要求3所述的晶片承載裝置，其特征在于，所述托盤(1)形成所述間隙的表面上的所述絕緣膜層的厚度為第一厚度，所述蓋板(2)形成所述間隙的表面上的所述絕緣膜層的厚度為第二厚度，所述間隙的距離為所述第一厚度和所述第二厚度之和。

5.根據權利要求1所述的晶片承載裝置，其特征在于，所述間隙大于或等于1微米。

6.一種刻蝕設備，其特征在于，包括權利要求1-5任一所述的晶片承載裝置。