[發(fā)明專利]功率用半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電力轉(zhuǎn)換裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010031002.2
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111463140B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 河本啟輔
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01L21/58
• 分類號: H01L21/58;H02M1/00;H02M7/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有以下工序：

隔著中間構(gòu)造將功率用半導(dǎo)體元件和支撐部件層疊，該中間構(gòu)造包含第一金屬膏層和至少一個第一貫穿部件，該第一金屬膏層包含多個第一金屬顆粒，該至少一個第一貫穿部件貫穿所述第一金屬膏層；

使安裝于將所述第一金屬膏層貫穿的所述至少一個第一貫穿部件的至少一個第一振動件振動；以及

對所述第一金屬膏層進(jìn)行加熱，以使得所述多個第一金屬顆粒燒結(jié)或熔解。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

對所述第一金屬膏層進(jìn)行加熱的工序包含以比所述多個第一金屬顆粒的熔點(diǎn)低的溫度使所述多個第一金屬顆粒燒結(jié)的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

使所述至少一個第一振動件振動的工序包含以下工序：使用通過所述至少一個第一貫穿部件的電流路徑而向所述至少一個第一振動件施加電信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在使所述至少一個第一振動件振動的工序中，所述至少一個第一貫穿部件具有從所述第一金屬膏層凸出的第一端部及第二端部。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述至少一個第一振動件包含：第一端部振動件，其安裝于所述第一貫穿部件的所述第一端部；以及第二端部振動件，其安裝于所述第一貫穿部件的所述第二端部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在使所述至少一個第一振動件振動的工序中，至少暫時僅使所述第一端部振動件和所述第二端部振動件中的一個振動。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

使所述至少一個第一振動件振動的工序是以所述至少一個第一貫穿部件的振幅小于或等于所述第一金屬膏層的厚度的方式進(jìn)行的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述至少一個第一貫穿部件由金屬構(gòu)成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

將所述功率用半導(dǎo)體元件和所述支撐部件層疊的工序，是以層疊方向上的所述第一貫穿部件的一側(cè)及另一側(cè)分別面向所述第一金屬膏層的方式進(jìn)行的。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在將所述功率用半導(dǎo)體元件和所述支撐部件層疊的工序中，所述至少一個第一貫穿部件沿所述功率用半導(dǎo)體元件的對角線方向配置。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述至少一個第一貫穿部件為多個貫穿部件。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在使所述至少一個第一振動件振動的工序中，所述至少一個第一貫穿部件具有中空形狀。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

對所述第一金屬膏層進(jìn)行加熱的工序包含以下工序：在小于或等于第一溫度的范圍對所述第一金屬膏層進(jìn)行加熱；以及在小于或等于所述第一溫度的范圍對所述第一金屬膏層進(jìn)行加熱的工序后，將所述第一金屬膏層加熱至比所述第一溫度高的第二溫度，

使所述至少一個第一振動件振動的工序在將所述第一金屬膏層加熱至比所述第一溫度高的所述第二溫度的工序之前停止。