[發(fā)明專利]基板研磨裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010030914.8
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111434457A
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發(fā)明（設計）人: 金明圭;沈載原;鄭京勛;金盛來;李康源;韓定錫
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/20;B24B37/34
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 樸英淑

1.一種基板研磨裝置，包括：

基板傳送部，傳送基板；以及

基板研磨部，包括配置在所述基板傳送部上的研磨板和配置在所述研磨板的下部面上的研磨墊，

基于所述基板相對于所述研磨板的相對位置，控制朝向所述基板的所述研磨板的傾斜。

2.根據(jù)權利要求1所述的基板研磨裝置，其中，

當所述基板的下游側邊緣位置位于所述研磨板的上游側邊緣位置與所述研磨板的中心部之間或者位于所述研磨板的上游側邊緣位置時，所述研磨板朝向所述基板傾斜。

3.根據(jù)權利要求2所述的基板研磨裝置，其中，

所述研磨板傾斜成使所述研磨板的下游側邊緣位置位于比所述研磨板的上游側邊緣位置更高的位置處。

4.根據(jù)權利要求1所述的基板研磨裝置，其中，

當所述基板的上游側邊緣位置位于所述研磨板的中心部與所述研磨板的下游側邊緣位置之間或者位于所述研磨板的下游側邊緣位置時，所述研磨板朝向所述基板傾斜。

5.根據(jù)權利要求4所述的基板研磨裝置，其中，

所述研磨板傾斜成使所述研磨板的上游側邊緣位置位于比所述研磨板的下游側邊緣位置更高的位置處。

6.根據(jù)權利要求1所述的基板研磨裝置，其中，

當所述基板的下游側邊緣位置位于所述研磨板的中心部，或者所述基板的下游側邊緣位置位于所述研磨板的下游側邊緣位置，或者所述基板的下游側邊緣位置位于所述研磨板的中心部與所述研磨板的下游側邊緣位置之間，或者所述基板的上游側邊緣位置位于所述研磨板的中心部，或者所述基板的上游側邊緣位置位于所述研磨板的上游側邊緣位置，或者所述基板的上游側邊緣位置位于所述研磨板的上游側邊緣位置與所述研磨板的中心部之間，或者所述研磨板的上游側邊緣位置和所述研磨板的下游側邊緣位置位于所述基板的上游側邊緣位置與所述基板的下游側邊緣位置之間時，所述研磨板被配置成與所述基板平行。

7.根據(jù)權利要求1所述的基板研磨裝置，其中，

所述基板研磨部還包括：外殼；以及多個氣囊，配置在所述外殼內且用于控制所述研磨板的傾斜，

所述研磨板包括：基底部，配置在所述外殼內；以及延伸部，從所述基底部突出并通過所述外殼的孔向所述研磨墊側延伸。

8.根據(jù)權利要求7所述的基板研磨裝置，其中，

所述多個氣囊包括：

第一氣囊，配置在所述外殼的上部內側面與所述基底部的上游側邊緣位置之間；

第二氣囊，配置在所述外殼的下部內側面與所述基底部的上游側邊緣位置之間；

第三氣囊，配置在所述外殼的上部內側面與所述基底部的下游側邊緣位置之間；以及

第四氣囊，配置在所述外殼的下部內側面與所述基底部的下游側邊緣位置之間。

9.根據(jù)權利要求8所述的基板研磨裝置，其中，

當所述基板的下游側邊緣位置位于所述研磨板的上游側邊緣位置與所述研磨板的中心部之間或者位于所述研磨板的上游側邊緣位置時，所述第一氣囊具有比所述第三氣囊更大的壓力，并且所述第二氣囊具有比所述第四氣囊更小的壓力。

10.根據(jù)權利要求8所述的基板研磨裝置，其中，

當所述基板的上游側邊緣位置位于所述研磨板的中心部與所述研磨板的下游側邊緣位置之間或者位于所述研磨板的下游側邊緣位置時，所述第一氣囊具有比所述第三氣囊更小的壓力，并且所述第二氣囊具有比所述第四氣囊更大的壓力。