[發(fā)明專利]一種雙勢壘肖特基二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010030727.X | 申請日： | 2020-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN111244190B | 公開（公告）日： | 2021-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張勇;吳成凱;汪涵;魏浩淼;徐銳敏;延波 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人： | 楊媛媛 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 雙勢壘肖特基 二極管 | ||
1.一種雙勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基二極管包括半絕緣襯底、半絕緣襯底上生長刻蝕形成的左側(cè)臺面、中間臺面和右側(cè)臺面、兩個(gè)陽極探針及兩個(gè)陽極橋指；
兩個(gè)所述陽極探針分別垂直向下貫穿所述中間臺面的鈍化層，并分別與中間臺面的外延層的上表面接觸形成兩個(gè)肖特基接觸；兩個(gè)所述肖特基接觸的陰極通過中間臺面的緩沖層連接；兩個(gè)所述肖特基接觸的陽極分別通過兩個(gè)所述陽極橋指引至左側(cè)臺面和右側(cè)臺面，并分別貫穿左側(cè)臺面和右側(cè)臺面的鈍化層、外延層，與左側(cè)臺面和右側(cè)臺面的緩沖層接觸形成兩個(gè)陽極接觸；所述肖特基接觸的陽極為陽極探針，陰極為肖特基接觸所在位置的外延層的下表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述左側(cè)臺面、所述中間臺面和所述右側(cè)臺面均由下往上依次包括緩沖層、外延層和鈍化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述緩沖層為重?fù)诫s的砷化鎵。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述外延層為輕摻雜的砷化鎵。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述鈍化層的材料為二氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述半絕緣襯底的材料為砷化鎵。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述陽極橋指為空氣橋結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
