[發明專利]一種晶圓加工設備

在審

• 申請號: 202010030553.7
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111211072A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 饒正盛
• 申請（專利權）人: 饒正盛
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種晶圓加工設備，其結構包括加工箱體、操作面板、壓板、合蓋，加工箱體的內部分有驅動腔與清洗槽體，操作面板用于控制內部的驅動腔，合蓋采用鉸接連接方式配合在加工箱體上，合蓋的外表面固定有壓板，清洗槽體上設置有晶圓夾持座與清洗機構、容水槽，清洗機構設有兩個，分別安裝在晶圓夾持座的兩側，本發明在晶圓夾持座的兩側設有清洗機構，該清洗機構由傳統的直立式為水平高壓沖洗式，兩側的出水柱射出水流更加全面的作用在晶圓上，不僅可提高細小微粒的去除效率同時相對于直立式帶來的沖擊力，該水平式的沖擊力較為溫柔，可保持晶圓特性，不會影響到后期加工使用。

技術領域

本發明涉及晶圓加工技術領域，特別的，是一種晶圓加工設備。

背景技術

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品，晶圓加工的基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復步驟，最終在晶圓上完成數層電路及元件加工與制作。半導體晶圓對微污染物的存在非常敏感，為了達成晶圓表面無污染物的目標，必須移除表面的污染物并避免在制成前讓污染物重新殘余在晶圓表面，因此半導體晶圓在制造過程中，需要經過多次的表面清洗步驟，以去除表面附著的金屬離子、原子、有機物及微粒。

目前晶圓清洗技術大致可分為濕式與干式兩大類，所謂濕式化學清洗技術，是以液狀酸堿熔劑與去離子水之混合物青瓷晶圓表面，隨后加以潤濕再干燥的程序，在濕式清洗程序中會有微粒污染，而微粒的清除技術包括擦洗、超音波以及高壓液體噴灑，其中高壓液體噴灑是利用液體與微粒間的應剪力將微粒清除，但是由于現有的直立式高壓沖擊，水體的沖擊力較為集中，長期作用下會對晶圓表面產生傷害，并且清洗面積狹隘，對于較小晶圓以及其上所附有的較小微粒而言，不僅去除效率不高，也會使晶圓的加工使用。

發明內容

針對上述問題，本發明提供一種晶圓加工設備。

為了實現上述目的，本發明是通過如下的技術方案來實現：一種晶圓加工設備，其結構包括加工箱體、操作面板、壓板、合蓋，所述加工箱體的內部分有驅動腔與清洗槽體，所述操作面板用于控制內部的驅動腔，所述合蓋采用鉸接連接方式配合在加工箱體上，所述合蓋的外表面固定有壓板，所述清洗槽體上設置有晶圓夾持座與清洗機構、容水槽，所述清洗機構設有兩個，分別安裝在晶圓夾持座的兩側，所述驅動腔中設置有導水口、支承墊、旋轉座、轉盤、轉盤電氣端，所述導水口分別置于容水槽的底部兩側，所述轉盤的信號輸入端與轉盤電氣端的信號端采用電性連接，所述轉盤電氣端通過兩側機械連接的支承墊固定在轉盤的底部，所述轉盤安裝在旋轉座的底部，兩者同一圓心。

作為本發明的進一步改進，所述清洗機構設有安裝框體，在安裝框體之間水平固定有一個用于安裝晶圓夾持座的水平橫板，所述水平橫板為兩側鏤空中部實心的結構。

作為本發明的進一步改進，所述旋轉座的外表面設有保護框體，并且設置在容水槽的內部，通過保護框體可隔絕容水槽內部的液體流入旋轉座，同時滿足旋轉座的有效啟動。

作為本發明的進一步改進，所述清洗機構的液體輸入端配合有引管與水泵，所述引管一端連接于水泵，另一端與清洗機構的液體輸入端相接。

作為本發明的進一步改進，所述晶圓夾持座包括晶圓墊片、圓盤、卡件，所述晶圓墊片上放置有晶圓，所述圓盤與晶圓墊片采用螺栓連接，所述卡件設有四個，一端插嵌固定在圓盤上，另一端接觸扣合于晶圓墊片。

作為本發明的進一步改進，所述清洗機構由連接轉軸、旋轉接盤、安裝體、封面、開面、出水柱組成，所述安裝體上分有封面與開面，其中開面上設有兩個相互平行的出水柱，所述封面與開面之間由一個中心轉芯貫穿安裝體與旋轉接盤轉動配合，所述旋轉接盤與連接轉軸機械連接，連接轉軸內部設有有旋轉電機，并由旋轉電機驅動。