[發明專利]一種振膜及其制備方法在審
| 申請號： | 202010030527.4 | 申請日： | 2020-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN111163402A | 公開（公告）日： | 2020-05-15 |
| 發明（設計）人： | 陳君;樂務時 | 申請（專利權）人： | 蘇州涂冠鍍膜科技有限公司 |
| 主分類號： | H04R7/02 | 分類號： | H04R7/02;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 蘇州謹和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 葉棟 |
| 地址： | 215126 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 及其 制備 方法 | ||
1.一種振膜，其特征在于，所述振膜包括中間層以及涂覆在所述中間層兩表面的涂層，所述中間層為碳石墨/碳納米管層，所述涂層為類金剛石涂層。
2.如權利要求1所述的振膜，其特征在于，所述振膜的厚度為54μm-216μm。
3.如權利要求1所述的振膜，其特征在于，所述碳石墨/碳納米管層包括碳石墨和碳納米管，所述碳納米管為相互交織的結構，所述碳石墨存在于相互交織的所述碳納米管的間隙中，所述碳石墨/碳納米管層的厚度為50μm-200μm。
4.如權利要求1所述的振膜，其特征在于，所述類金剛石涂層的厚度為2μm-8μm。
5.一種用以制備權利要求1至4項中任一項所述的振膜的方法，其特征在于，所述制備方法如下：
S1、制備碳石墨/碳納米管層，所述碳石墨/碳納米管層的厚度為50μm-200μm；
S2、在所述碳石墨/碳納米管層兩表面沉積類金剛石涂層，所述類金剛石涂層的厚度為2μm-8μm。
6.如權利要求5所述的用以制備振膜的方法，其特征在于，所述碳石墨/碳納米管層由高溫碳化-原位生長方法制備形成。
7.如權利要求5所述的用以制備振膜的方法，其特征在于，所述類金剛石涂層由高能脈沖磁控濺射方法制備形成。
8.如權利要求7所述的用以制備振膜的方法，其特征在于，所述高能脈沖磁控濺射的條件為：電源電流為1A-8A，電源占空比為40％-80％，電源頻率為40kHz-100kHz，脈沖負偏壓為200V-1000V，脈沖負偏壓占空比為30％-60％，濺射時間為0.5h-5h。
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