[發(fā)明專利]天線陣列的去耦方法及具有新型去耦結構的天線陣列

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• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111129769A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設計）人: 趙魯豫;劉鋒;宋波
• 申請（專利權）人: 西安朗普達通信科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/52
• 分類號: H01Q1/52;H01Q1/36;H01Q15/00;H01Q21/00
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 范晴;丁浩秋

1.一種天線陣列的去耦方法，其特征在于，包括：

S01：在天線陣列上方設置有超表面覆層，所述超表面覆層覆蓋于天線陣列上方；

S02：通過調(diào)節(jié)超表面覆層的介電常數(shù)，消除天線單元間的耦合。

2.根據(jù)權利要求1所述的天線陣列的去耦方法，其特征在于，所述步驟S02中，通過調(diào)節(jié)超表面覆層的單元結構的尺寸和間距調(diào)節(jié)超表面覆層的介電常數(shù)。

3.根據(jù)權利要求1所述的天線陣列的去耦方法，其特征在于，所述步驟S02中消除天線單元間的耦合時，還調(diào)節(jié)超表面覆層與陣列天線的高度。

4.根據(jù)權利要求1所述的天線陣列的去耦方法，其特征在于，所述超表面覆層包括介質(zhì)基板和設置于介質(zhì)基板的單元結構，所述單元結構周期性排列于介質(zhì)基板。

5.根據(jù)權利要求1所述的天線陣列的去耦方法，其特征在于，所述超表面覆層采用多層結構，所述多層結構包括在下層超表面覆層上覆蓋有至少一層上層超表面覆層，所述上層超表面包括第二介質(zhì)基板和設置于第二介質(zhì)基板的第二單元結構；所述上層超表面覆層通過介質(zhì)支撐柱支撐，覆蓋于下層超表面覆層上方。

6.根據(jù)權利要求5所述的天線陣列的去耦方法，其特征在于，所述步驟S02中消除天線單元間的耦合時，調(diào)整每一層超表面覆層的單元結構的尺寸和間距，底層覆層與陣列天線的高度，每一層超表面覆層間的高度。

7.一種具有新型去耦結構的天線陣列，其特征在于，在天線陣列上方設置有超表面覆層，所述超表面覆層通過介質(zhì)支撐柱支撐，覆蓋于天線陣列上方，所述超表面覆層包括介質(zhì)基板和設置于介質(zhì)基板的單元結構，所述單元結構用于調(diào)節(jié)介電常數(shù)，所述超表面覆層的等效介電常數(shù)為15-45。

8.根據(jù)權利要求7所述的具有新型去耦結構的天線陣列，其特征在于，所述超表面覆層用于消除天線單元間的耦合。

9.根據(jù)權利要求7所述的具有新型去耦結構的天線陣列，其特征在于，所述單元結構周期性排列于介質(zhì)基板。

10.根據(jù)權利要求7所述的具有新型去耦結構的天線陣列，其特征在于，在下層超表面覆層上覆蓋有至少一層上層超表面覆層，所述上層超表面包括第二介質(zhì)基板和設置于第二介質(zhì)基板的第二單元結構；所述上層超表面覆層通過介質(zhì)支撐柱支撐，覆蓋于下層超表面覆層上方。