[發明專利]非超高真空環境離子鍍膜制備低氧含量易氧化薄膜的裝置及方法

在審

• 申請號: 202010029774.2
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111020515A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 田廣科;田世宇;張海軍
• 申請（專利權）人: 蘭州廣合新材料科技有限公司;蘭州交通大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/32;C23C14/16;C23C14/06
• 代理公司: 沈陽優普達知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 21234
• 代理人: 任凱

1.非超高真空環境離子鍍膜制備低氧含量易氧化薄膜的裝置，在離子鍍膜的鍍膜腔室中，鍍膜靶源對向基片臺，其特征在于，鍍膜腔室中設有輔助靶源和遮擋板，所述遮擋板設置在鍍膜靶源與輔助靶源之間，所述遮擋板將輔助靶源的工作區域與鍍膜靶源及基片臺的工作區域予以隔離。

2.根據權利要求1所述的非超高真空環境離子鍍膜制備低氧含量易氧化薄膜的裝置，其特征在于，所述輔助靶源的靶材為鈦、鋁或鋯。

3.根據權利要求1所述的非超高真空環境離子鍍膜制備低氧含量易氧化薄膜的裝置，其特征在于，所述輔助靶源的數量為一個或多個。

4.根據權利要求1所述的非超高真空環境離子鍍膜制備低氧含量易氧化薄膜的裝置，其特征在于，所述鍍膜靶源的靶材為金屬、非金屬或化合物。

5.非超高真空環境離子鍍膜制備低氧含量易氧化薄膜的方法，其特征在于，利用如權利要求1-4之一所述的非超高真空環境離子鍍膜制備低氧含量易氧化薄膜的裝置，具體包括如下步驟：

(1)樣品準備：將待鍍樣品依次用丙酮、無水乙醇及去離子水超聲波清洗10分鐘，氮氣吹干待用；

(2)開啟鍍膜腔室艙門，將待鍍樣品放置于基片臺中心，合閉鍍膜腔室艙門；

(3)啟動抽真空機組，將鍍膜腔室抽真空至氣壓5×10^-3Pa；

(4)開啟并調節質量流量計，使高純氬氣持續流入鍍膜腔室并使鍍膜腔室氣壓維持在0.8Pa；

(5)開啟輔助靶源驅動電源，功率為100-500W，使輔助靶源輝光放電，在遮擋板后濺射出原子或粒子；

(6)輔助靶源工作10分鐘后，開啟鍍膜靶源驅動電源，功率為100-500W，開始在待鍍樣品表面鍍制鍍膜，鍍膜時長依沉積速率和鍍膜厚度要求確定；

(7)鍍膜時間達到確定值后，依次關閉鍍膜靶源驅動電源和輔助靶源驅動電源，然后再關閉質量流量計；

(8)待待鍍樣品和其上沉積的鍍膜溫度降至室溫后，關閉抽真空機組，鍍膜腔室放氣，開啟鍍膜腔室艙門，將帶鍍膜的待鍍樣品取出，鍍膜過程完成。