[發(fā)明專(zhuān)利]電子器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010029159.1
• 申請(qǐng)日: 2020-01-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111696911A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·阿加姆;J·皮杰卡克;J·C·J·讓森斯
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/76
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/76;H01L21/761;H01L21/762;H01L27/06
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

本發(fā)明題為“電子器件”。本發(fā)明公開(kāi)了一種電子器件。所述電子器件可以包括限定溝槽的襯底。在一個(gè)實(shí)施方案中，半導(dǎo)體主體可以在所述溝槽內(nèi)，其中，所述半導(dǎo)體主體具有至少0.05歐姆?厘米的電阻率，并且與所述襯底電隔離。在一個(gè)實(shí)施方案中，電子部件可以在所述半導(dǎo)體主體內(nèi)。所述電子部件可以是電阻器或二極管。在一個(gè)特定實(shí)施方案中，所述半導(dǎo)體主體具有上表面，所述電子部件在上表面內(nèi)并沿著所述上表面，并且與所述半導(dǎo)體主體的底部間隔開(kāi)。在另外的實(shí)施方案中，所述電子器件還可以包括在所述襯底的有源區(qū)內(nèi)的第一電子部件、在所述溝槽內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)和在所述隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)的第二電子部件。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及電子器件和形成電子器件的工藝，并且更具體地講，涉及包括溝槽內(nèi)的半導(dǎo)體主體或隔離結(jié)構(gòu)的電子器件及其形成工藝。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體管芯可以包括不同的部件，其中一個(gè)部件可能干擾另一個(gè)部件的操作。例如，功率晶體管可以與邏輯晶體管隔離，使得功率晶體管的電場(chǎng)不會(huì)不利地影響邏輯晶體管的操作。深溝槽隔離可以用于將功率晶體管與邏輯晶體管電隔離；然而，深溝槽隔離占據(jù)了僅用于電隔離的管芯面積。期望半導(dǎo)體管芯的改進(jìn)和管芯面積的更有效利用。

附圖說(shuō)明

在附圖中以舉例說(shuō)明的方式示出實(shí)施方案，而實(shí)施方案并不受限于附圖。

圖1和圖2包括工件的一部分的俯視圖和剖視圖的圖示，該工件包括襯底和延伸到襯底中的溝槽。

圖3和圖4包括圖1和圖2的工件的俯視圖和剖視圖的圖示，該工件包括溝槽內(nèi)的絕緣層和半導(dǎo)體主體。

圖5和圖6包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案在形成電阻器之后圖3和圖4的工件的一部分的剖視圖和俯視圖的圖示。

圖7和圖8包括根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方案在形成電阻器之后圖3和圖4的工件的一部分的剖視圖和俯視圖的圖示。

圖9和圖10包括根據(jù)又一個(gè)實(shí)施方案在形成電阻器之后圖3和圖4的工件的一部分的剖視圖和俯視圖的圖示。

圖11包括根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方案在形成二極管之后圖3和圖4的工件的一部分的俯視圖的圖示。

圖12包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的包括二極管的圖11的工件的一部分的剖視圖的圖示。

圖13包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的包括一組二極管的圖11的工件的一部分的剖視圖的圖示。

圖14包括包含單晶半導(dǎo)體材料的電阻器和包含多晶半導(dǎo)體材料的另一個(gè)電阻器的電路示意圖的描繪。

圖15包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的圖14的電路示意圖的物理設(shè)計(jì)的圖示。

圖16包括可用于溫度感測(cè)電路的電阻器的電路示意圖的描繪。

圖17包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的圖16的電路示意圖的物理設(shè)計(jì)的圖示。

圖18包括在半導(dǎo)體主體內(nèi)包括晶體管和電阻器的逆變器的電路示意圖的描繪。

圖19包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的圖18的電路示意圖的物理設(shè)計(jì)的圖示。

圖20包括其基極連接到分壓器的雙極型晶體管的電路示意圖的描繪。

圖21包括其柵極連接到分壓器的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電路示意圖的描繪。

圖22包括金屬-絕緣體-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和幫助保護(hù)晶體管的柵極的電子部件的電路示意圖的描繪。

圖23包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的圖22的電路示意圖的物理設(shè)計(jì)的圖示。

圖24包括根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方案的圖22的電路示意圖的物理設(shè)計(jì)的圖示。

圖25包括根據(jù)又一個(gè)實(shí)施方案的圖22的電路示意圖的物理設(shè)計(jì)的圖示。