[發(fā)明專利]一種芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010028073.7
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111192863B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 張正
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東漢豈工業(yè)技術研發(fā)有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 廣州海藻專利代理事務所(普通合伙) 44386
• 代理人: 張大保

1.一種芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1）提供一線路基板，所述線路基板具有相對的第一表面和第二表面，所述線路基板的所述第一表面上分別具有第一接觸焊盤、第二接觸焊盤，所述線路基板的所述第二表面上具有第三接觸焊盤；

2）接著在所述線路基板的所述第一接觸焊盤上形成第一金屬導電柱，并在所述線路基板的所述第二接觸焊盤上形成第二金屬導電柱，在所述第一金屬導電柱以及所述第二金屬導電柱上分別形成多個盲孔，所述盲孔的深度與相應的金屬導電柱的高度的比值為0.3-0.6，所述盲孔的直徑與相應的金屬導電柱的直徑的比值為0.3-0.5；

3）接著形成第一焊料結(jié)構(gòu)，所述第一焊料結(jié)構(gòu)完全包裹所述第一金屬導電柱，且所述第一焊料結(jié)構(gòu)的部分焊料填充所述第一金屬導電柱的所述盲孔，提供一第一封裝結(jié)構(gòu)，所述第一封裝結(jié)構(gòu)的下表面具有與所述第一金屬導電柱相對應的凹槽，通過回流焊工藝將所述第一封裝結(jié)構(gòu)安裝在所述第一焊料結(jié)構(gòu)上，使得所述第一金屬導電柱嵌入相應的凹槽中，使得所述第一金屬導電柱與所述第一封裝結(jié)構(gòu)電連接，

在回流焊工藝焊接完成后，然后利用第一激光照射所述第一焊料結(jié)構(gòu)，以釋放所述第一焊料結(jié)構(gòu)中的應力，并且在第一焊料結(jié)構(gòu)的表面形成凹坑；

4）接著形成第二焊料結(jié)構(gòu)，所述第二焊料結(jié)構(gòu)完全包裹所述第二金屬導電柱，且所述第二焊料結(jié)構(gòu)的部分焊料填充所述第二金屬導電柱的所述盲孔，提供一第二封裝結(jié)構(gòu)，所述第二封裝結(jié)構(gòu)的下表面具有與所述第二金屬導電柱相對應的凹槽，通過回流焊工藝將所述第二封裝結(jié)構(gòu)安裝在所述第二焊料結(jié)構(gòu)上，使得所述第二金屬導電柱嵌入相應的凹槽中，使得所述第二金屬導電柱與所述第二封裝結(jié)構(gòu)電連接，在回流焊工藝焊接完成后，然后利用第二激光照射所述第二焊料結(jié)構(gòu)，以釋放所述第二焊料結(jié)構(gòu)中的應力，并且在第二焊料結(jié)構(gòu)的表面形成凹坑；

5）接著在所述線路基板的第一表面上形成封裝外殼，所述封裝外殼完全包裹所述第一封裝結(jié)構(gòu)和所述第二封裝結(jié)構(gòu)，接著在所述線路基板的所述第三接觸焊盤上形成導電焊球。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：在所述步驟1）中，所述線路基板中具有導電結(jié)構(gòu)，所述第一接觸焊盤以及所述第二接觸焊盤分別通過相應的導電結(jié)構(gòu)與所述第三接觸焊盤電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：在所述步驟2）中，所述第一、第二金屬導電柱的材料為銀、銅、鋁中的一種或多種，所述第一、第二金屬導電柱的制備方法為熱蒸鍍、磁控濺射、電子束蒸發(fā)中的一種，通過濕法刻蝕或干法刻蝕形成所述盲孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：在所述步驟3）中，所述第一激光的功率為50-100W，所述第一激光的光斑直徑為的50-100微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：在所述步驟4）中，所述第二激光的功率為10-40W，所述第二激光的光斑直徑為的100-200微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：在所述步驟5）中，所述封裝外殼含有電磁屏蔽層。

7.一種芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，采用權(quán)利要求1-6任一項所述的方法制備形成的。