[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 202010027903.4
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111446230B
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 北林拓也;吉田博;石橋秀俊;村田大輔
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/62
• 分類號: H01L23/62
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

提供用于在半導體裝置中以較短時間發揮熔斷器功能的技術。半導體裝置具有：絕緣基板(2)的上表面處的第2接合材料(6c)；半導體元件(1)的上表面處的第3接合材料(6b)；通孔(100)，其從第1電路圖案(3b)起經由芯材(3c)而到達至第2電路圖案(3a)；通孔的內壁處的導電性膜(4)；以及隔熱材料(5)，其在通孔的內部，在俯視觀察時被導電性膜包圍，導電性膜使第1電路圖案與第2電路圖案導通。

技術領域

本說明書所公開的技術涉及半導體裝置。

背景技術

例如，就專利文獻1(日本特開2017-168590號公報)所公開的以往的半導體裝置而言，在印刷基板的貫通孔的內側與插入至該貫通孔的導電柱之間設置有熔斷部件。通過采用這樣的結構，從而能夠提高半導體裝置的可靠性。

專利文獻1：日本特開2017-168590號公報

但是，在專利文獻1所示的結構中，由于在貫通孔的中心存在導電柱，所以熔斷部件僅局部地熔斷，沒有作為熔斷器起作用。并且，由于直至熔斷部件完全熔化為止需要一定的時間，因此難以在短時間發揮熔斷器功能。

發明內容

本說明書所公開的技術就是鑒于以上所記載這樣的問題而提出的，其目的在于提供用于在半導體裝置中以較短時間發揮熔斷器功能的技術。

本說明書所公開的技術的第1方式具有：絕緣基板的上表面處的第1接合材料；所述絕緣基板的上表面處的第2接合材料；所述第1接合材料的上表面處的半導體元件；所述半導體元件的上表面處的第3接合材料；所述第2接合材料的上表面以及所述第3接合材料的上表面處的第1電路圖案；所述第1電路圖案的上表面處的芯材；所述芯材的上表面處的第2電路圖案；通孔，其從所述第1電路圖案起經由所述芯材而到達至所述第2電路圖案；所述通孔的內壁處的導電性膜；以及隔熱材料，其在所述通孔的內部，在俯視觀察時被所述導電性膜包圍，所述導電性膜使所述第1電路圖案與所述第2電路圖案導通。

另外，本說明書中公開的技術的第2方式具有：絕緣基板的上表面處的第1接合材料；所述絕緣基板的上表面處的第2接合材料；所述第1接合材料的上表面處的半導體元件；所述半導體元件的上表面處的第3接合材料；所述第2接合材料的上表面以及所述第3接合材料的上表面處的第1電路圖案；所述第1電路圖案的上表面處的芯材；所述芯材的上表面處的第2電路圖案；通孔，其從所述第1電路圖案起經由所述芯材而到達至所述第2電路圖案；以及所述通孔的內部的具有熔斷器功能的電子元件，所述電子元件使所述第1電路圖案與所述第2電路圖案導通。

發明的效果

本說明書所公開的技術的第1方式具有：絕緣基板的上表面處的第1接合材料；所述絕緣基板的上表面處的第2接合材料；所述第1接合材料的上表面處的半導體元件；所述半導體元件的上表面處的第3接合材料；所述第2接合材料的上表面以及所述第3接合材料的上表面處的第1電路圖案；所述第1電路圖案的上表面處的芯材；所述芯材的上表面處的第2電路圖案；通孔，其從所述第1電路圖案起經由所述芯材而到達至所述第2電路圖案；所述通孔的內壁處的導電性膜；以及隔熱材料，其在所述通孔的內部，在俯視觀察時被所述導電性膜包圍，所述導電性膜使所述第1電路圖案與所述第2電路圖案導通。根據這樣的結構，在流過過電流時，使第1電路圖案與第2電路圖案導通的導電性膜的溫度局部地上升，從而能夠以短時間熔斷，因此能夠有效地抑制由過電流流入導致的半導體裝置的破壞。