[發明專利]一種柔性可控的有機電致發光陣列、制備方法及應用有效
| 申請號: | 202010027764.5 | 申請日: | 2020-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN111200002B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 江誠鳴;曹旭光;卜鏡元;宋金會 | 申請(專利權)人: | 大連理工大學 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 大連理工大學專利中心 21200 | 代理人: | 隋秀文;溫福雪 |
| 地址: | 116024 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 可控 有機 電致發光 陣列 制備 方法 應用 | ||
本發明屬于柔性顯示技術領域,涉及是一種柔性可控的有機電致發光陣列、制備方法及應用。本發明的有機電致發光陣列,由五層納米網組成,從下至上依次為PVA納米纖維網、Ag納米網、Alq3納米網、NPB納米網和ITO納米網。應用于圖案可控發光時,Ag納米網和TO納米網的條紋陣列分別作為陰極和陽極,與控制系統連接,根據發光圖案的要求,通過控制系統控制不同的陰極和陽極開關來是特定點列發光。由于只是特定區域陣列發光工作,其他陣列均在斷開狀態,從而發光陣列在工作時消耗功率較低。由于本發明的發光陣列是在柔性納米纖維網上加工得到,所以實現了具有柔性的功能,為以后柔性可穿戴式發光裝置提供借鑒。
技術領域
本發明屬于柔性顯示技術領域,涉及是一種柔性可控的有機電致發光陣列、制備方法及應用。
背景技術
有機電致發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)與傳統的液晶顯示器件(Liquid Crystal Display,LCD)相比,由于具有低功耗、高飽和度、響應快、視角廣、色域廣、厚度薄、能實現柔性化等特點,已經逐漸成為顯示領域的主流。
目前,已有成熟的靜電紡絲技術來制備透明柔性有機電致發光陣列。靜電紡絲技術是利用高壓靜電場對高分子溶液的擊穿作用制備納米纖維材料的方法,最終在接收裝置上形成納米纖維。但是現有的有機電致發光顯示器都是大面積發光,無法通過交叉電極的有源陣列控制特定的區域發光或形成特定的圖案。
發明內容
鑒于現有技術的不足和缺陷,本發明提供一種柔性可控的有機電致發光陣列、制備方法及應用,制備得到的有機電致發光陣列,可以通過對特定區域的陣列進行控制以達到不同的發光效果。
本發明的技術方案:
一種柔性可控的有機電致發光陣列,由五層納米網組成,從下至上依次為PVA納米纖維網、Ag納米網、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)納米網、胺類衍生物(NPB)納米網和氧化錫銦(ITO)納米網;其中,PVA納米纖維網作為基底,其余為發光陣列層;Ag納米網為條紋陣列,位于PVA納米纖維網表面上,Alq3納米網為圓形陣列,位于Ag納米網表面上,NPB納米網的尺寸和形狀與Alq3納米網相同,位于Alq3納米網表面上;ITO納米網為條紋陣列,位于NPB納米網的表面上,尺寸和形狀與Ag納米網相同,二者的條紋相互垂直,且Ag納米網與NPB納米網相互不接觸,ITO納米網與Ag納米網的條紋陣列交叉點即為NPB納米網和Alq3納米網的圓形陣列。
一種柔性可控的有機電致發光陣列的制備方法,具體步驟如下:
第一步:利用靜電紡絲技術制作PVA納米纖維網基板;其中,紡絲液為濃度為10%-15%的PVA溶液;
第二步:真空環境下,采用第一掩膜版遮蓋第一步制備得到的PVA納米纖維網基板的表面,在PVA納米纖維網基板上以的蒸發速率熱蒸鍍Ag,形成條紋陣列的Ag納米網;
其中,第一掩膜版的尺寸大于等于PVA納米纖維網基板的尺寸,第一掩膜版上等間距開有同尺寸的長方形開孔,形成格柵狀;長方形開孔的寬為40-120μm,相鄰長方形開孔之間的未開孔部分的寬度與長方形開孔寬度相同;
第三步:真空條件下,將第三掩膜版置于第二步制備得到的Ag納米網表面上,在Ag納米網上以的蒸發速率熱蒸鍍Alq3,形成圓形陣列的Alq3納米網;
其中,第三掩膜版的尺寸大于等于PVA納米纖維網基板的尺寸,第三掩膜版上等間距、對稱設有相同尺寸的圓孔,形成圓孔陣列,圓孔的直徑為40-120μm,每行每列的圓孔之間的間距與圓孔的直徑相同,且圓孔的直徑與第一掩膜版的長方形開孔的寬度相同;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





