[發(fā)明專利]隔離結(jié)構(gòu)的制造方法和噴涂裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010027443.5 | 申請日: | 2020-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN113113348B | 公開(公告)日: | 2023-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳子見;吳天成 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/762 | 分類號: | H01L21/762;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 隔離 結(jié)構(gòu) 制造 方法 噴涂 裝置 | ||
1.一種隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,包括:
提供基板以及位于所述基板上的疊層結(jié)構(gòu),所述疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)具有多個溝槽;
進(jìn)行第一旋轉(zhuǎn)動作,旋涂第一預(yù)濕溶劑于疊層結(jié)構(gòu)頂表面和溝槽內(nèi)壁;
在進(jìn)行第一旋轉(zhuǎn)動作之后,進(jìn)行第二旋轉(zhuǎn)動作,旋涂第二預(yù)濕溶劑于所述疊層結(jié)構(gòu)頂表面和所述溝槽內(nèi)壁;所述第二旋轉(zhuǎn)動作之后的所述溝槽側(cè)壁的表面張力小于所述第一旋轉(zhuǎn)動作后的所述溝槽側(cè)壁的表面張力;
在進(jìn)行第二旋轉(zhuǎn)動作之后,涂覆涂布液于所述疊層結(jié)構(gòu)上;在將所述涂布液涂覆在所述疊層結(jié)構(gòu)之后,靜置所述涂布液;在所述涂布液靜止預(yù)設(shè)時間后,旋轉(zhuǎn)所述基板,使所述涂布液填充滿所述溝槽;
所述第一旋轉(zhuǎn)動作包括第一初始旋轉(zhuǎn)速度、第一旋轉(zhuǎn)加速度、第一時間和第一速度,所述基板以所述第一旋轉(zhuǎn)加速度從所述第一初始旋轉(zhuǎn)速度加速所述第一時間至所述第一速度;
所述第二旋轉(zhuǎn)動作包括第二速度和第二時間,所述第二速度為勻速,且所述第二速度大于所述第一速度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述溝槽的深度與寬度的比值大于20。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述第一初始旋轉(zhuǎn)速度為0,所述第一旋轉(zhuǎn)加速度為2000~20000rpm/s,所述第一時間為0.1~4s,所述第一速度為2000~8000rpm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述第二速度為2000~8000rpm,所述第二時間為1~5s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,在所述涂覆涂布液于所述疊層結(jié)構(gòu)上之前,還包括:將所述第二速度減速至0,所述減速包括第二旋轉(zhuǎn)加速度和第三時間,所述第二旋轉(zhuǎn)加速度為-2000~-20000rpm/s,所述第三時間為0.1~4s。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述第一預(yù)濕溶劑和所述第二預(yù)濕溶劑材料相同,包括二丁醚。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述涂布液包括聚硅氮烷,所述涂覆涂布液的時間為1~10s。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)時間為0.5~8s。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)所述基板,具體包括:進(jìn)行第三旋轉(zhuǎn)動作,所述第三旋轉(zhuǎn)動作包括第三初始旋轉(zhuǎn)速度、第三旋轉(zhuǎn)加速度、第四時間和第四速度,所述基板以所述第三旋轉(zhuǎn)加速度從所述第三初始旋轉(zhuǎn)速度加速所述第四時間至所述第四速度,所述第三初始旋轉(zhuǎn)速度為0,所述第三旋轉(zhuǎn)加速度為1000~20000rpm/s,所述第四時間為0.1~4s,所述第四速度為500~2000rpm;
在進(jìn)行所述第三旋轉(zhuǎn)動作之后,進(jìn)行第四旋轉(zhuǎn)動作,所述第四旋轉(zhuǎn)動作包括第五速度和第五時間,所述第五速度為勻速,所述第五速度為500~2000rpm,所述第五時間為5~15s。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,在所述旋轉(zhuǎn)所述基板之后,還包括:進(jìn)行第五旋轉(zhuǎn)動作,將所述第五速度加速至第六速度,控制所述基板以所述第六速度勻速旋轉(zhuǎn);其中,所述第六速度為2000~3500rpm,所述第五旋轉(zhuǎn)動作的處理時間為7~15s;
所述加速包括第五旋轉(zhuǎn)加速度,所述第五旋轉(zhuǎn)加速度為1000~20000rpm/s。
11.一種噴涂裝置,所述噴涂裝置應(yīng)用于如權(quán)利要求1-10任一項所述的隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,包括:
載臺,用于承載晶圓及帶動所述晶圓旋轉(zhuǎn);
控制系統(tǒng),用于控制所述載臺旋轉(zhuǎn);
第一噴頭,用于向所述晶圓噴涂第一預(yù)濕溶劑或第二預(yù)濕溶劑;
第二噴頭,用于向所述晶圓噴涂涂布液。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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