[發明專利]隔離結構的制造方法和噴涂裝置有效
| 申請號: | 202010027443.5 | 申請日: | 2020-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN113113348B | 公開(公告)日: | 2023-06-02 |
| 發明(設計)人: | 吳子見;吳天成 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/762 | 分類號: | H01L21/762;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 隔離 結構 制造 方法 噴涂 裝置 | ||
1.一種隔離結構的制造方法,其特征在于,包括:
提供基板以及位于所述基板上的疊層結構,所述疊層結構內具有多個溝槽;
進行第一旋轉動作,旋涂第一預濕溶劑于疊層結構頂表面和溝槽內壁;
在進行第一旋轉動作之后,進行第二旋轉動作,旋涂第二預濕溶劑于所述疊層結構頂表面和所述溝槽內壁;所述第二旋轉動作之后的所述溝槽側壁的表面張力小于所述第一旋轉動作后的所述溝槽側壁的表面張力;
在進行第二旋轉動作之后,涂覆涂布液于所述疊層結構上;在將所述涂布液涂覆在所述疊層結構之后,靜置所述涂布液;在所述涂布液靜止預設時間后,旋轉所述基板,使所述涂布液填充滿所述溝槽;
所述第一旋轉動作包括第一初始旋轉速度、第一旋轉加速度、第一時間和第一速度,所述基板以所述第一旋轉加速度從所述第一初始旋轉速度加速所述第一時間至所述第一速度;
所述第二旋轉動作包括第二速度和第二時間,所述第二速度為勻速,且所述第二速度大于所述第一速度。
2.根據權利要求1所述隔離結構的制造方法,其特征在于,所述溝槽的深度與寬度的比值大于20。
3.根據權利要求1所述隔離結構的制造方法,其特征在于,所述第一初始旋轉速度為0,所述第一旋轉加速度為2000~20000rpm/s,所述第一時間為0.1~4s,所述第一速度為2000~8000rpm。
4.根據權利要求1所述隔離結構的制造方法,其特征在于,所述第二速度為2000~8000rpm,所述第二時間為1~5s。
5.根據權利要求1所述隔離結構的制造方法,其特征在于,在所述涂覆涂布液于所述疊層結構上之前,還包括:將所述第二速度減速至0,所述減速包括第二旋轉加速度和第三時間,所述第二旋轉加速度為-2000~-20000rpm/s,所述第三時間為0.1~4s。
6.根據權利要求1所述隔離結構的制造方法,其特征在于,所述第一預濕溶劑和所述第二預濕溶劑材料相同,包括二丁醚。
7.根據權利要求1所述隔離結構的制造方法,其特征在于,所述涂布液包括聚硅氮烷,所述涂覆涂布液的時間為1~10s。
8.根據權利要求1所述隔離結構的制造方法,其特征在于,所述預設時間為0.5~8s。
9.根據權利要求1所述隔離結構的制造方法,其特征在于,所述旋轉所述基板,具體包括:進行第三旋轉動作,所述第三旋轉動作包括第三初始旋轉速度、第三旋轉加速度、第四時間和第四速度,所述基板以所述第三旋轉加速度從所述第三初始旋轉速度加速所述第四時間至所述第四速度,所述第三初始旋轉速度為0,所述第三旋轉加速度為1000~20000rpm/s,所述第四時間為0.1~4s,所述第四速度為500~2000rpm;
在進行所述第三旋轉動作之后,進行第四旋轉動作,所述第四旋轉動作包括第五速度和第五時間,所述第五速度為勻速,所述第五速度為500~2000rpm,所述第五時間為5~15s。
10.根據權利要求9所述隔離結構的制造方法,其特征在于,在所述旋轉所述基板之后,還包括:進行第五旋轉動作,將所述第五速度加速至第六速度,控制所述基板以所述第六速度勻速旋轉;其中,所述第六速度為2000~3500rpm,所述第五旋轉動作的處理時間為7~15s;
所述加速包括第五旋轉加速度,所述第五旋轉加速度為1000~20000rpm/s。
11.一種噴涂裝置,所述噴涂裝置應用于如權利要求1-10任一項所述的隔離結構的制造方法,其特征在于,包括:
載臺,用于承載晶圓及帶動所述晶圓旋轉;
控制系統,用于控制所述載臺旋轉;
第一噴頭,用于向所述晶圓噴涂第一預濕溶劑或第二預濕溶劑;
第二噴頭,用于向所述晶圓噴涂涂布液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





