[發明專利]處理方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202010027068.4
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111435636A
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發明（設計）人: 及川翔;橫山政司;岡野太一;河崎俊一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種處理方法，使用等離子體處理裝置來對被處理體進行處理，所述等離子體處理裝置具有：載置臺，其在腔室內載置被處理體；外周構件，其配置于所述載置臺的周圍；以及第一電源，其向所述外周構件施加電壓，所述處理方法包括以下工序：

一邊從所述第一電源向所述外周構件施加電壓，一邊使被處理體暴露于具有沉積性的前體的等離子體中；以及

在暴露于所述等離子體中的工序期間，觀測沉積在所述外周構件之上的包含碳的沉積膜的狀態，基于觀測到的所述沉積膜的狀態來控制向所述外周構件施加的電壓。

2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，還包括以下工序：

參照存儲有向外周構件施加的電壓與工藝參數的校正值之間的相關信息的存儲部，基于施加于所述外周構件的電壓來校正工藝參數；以及

按照包括校正后的所述工藝參數的工藝條件來執行等離子體處理。

3.根據權利要求2所述的處理方法，其特征在于，

所述工藝參數是使生成的等離子體密度發生變動的工藝條件。

4.根據權利要求2或3所述的處理方法，其特征在于，

所述工藝參數是使蝕刻速率發生變動的工藝條件。

5.根據權利要求2至4中的任一項所述的處理方法，其特征在于，

所述工藝參數是從第一高頻電源施加的第一頻率的高頻電力、從第二高頻電源施加的比第一頻率低的第二頻率的高頻電力、向所述腔室內供給的氣體、以及從第二電源向與所述載置臺相向的上部電極施加的電壓中的至少任一個。

6.根據權利要求1至5中的任一項所述的處理方法，其特征在于，

在控制向所述外周構件施加的電壓的工序中，在觀測到的所述沉積膜的狀態為規定的閾值以上的情況下，向所述外周構件施加電壓。

7.根據權利要求1至6中的任一項所述的處理方法，其特征在于，

在控制向所述外周構件施加的電壓的工序中，在觀測到的所述沉積膜的狀態比規定的閾值小的情況下，不向所述外周構件施加電壓。

8.根據權利要求1至7中的任一項所述的處理方法，其特征在于，

所述具有沉積性的前體的等離子體是通過能夠產生沉積性的前體的處理氣體生成的。

9.根據權利要求8所述的處理方法，其特征在于，

所述處理氣體包含碳。

10.一種等離子體處理裝置，具有：載置臺，其在腔室內載置被處理體；外周構件，其配置于所述載置臺的周圍；第一電源，其向所述外周構件施加電壓；以及控制部，

其中，所述控制部執行以下工序：

一邊從所述第一電源向所述外周構件施加電壓，一邊使被處理體暴露于包含碳的處理氣體的等離子體中；

在暴露于所述處理氣體的等離子體中的工序期間，觀測沉積在所述外周構件之上的包含碳的沉積膜的狀態，基于觀測到的所述沉積膜的狀態來控制向所述外周構件施加的電壓；以及

參照存儲有向外周構件施加的電壓與工藝參數的校正值之間的相關信息的存儲部，基于施加于外周構件的電壓來校正工藝參數。