[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010027032.6
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111446244A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設計）人: 坂本俊介
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導體裝置，其具有：

多個晶體管單元，它們形成于半導體層；

電流電極，其形成為將所述多個晶體管單元覆蓋，該電流電極在所述多個晶體管單元導通時成為電流路徑；

導線，其與所述電流電極接合；以及

啞單元，其在所述半導體層，至少形成于所述導線與所述電流電極接合的區(qū)域即導線接合區(qū)域的中心部的下方，該啞單元不進行雙極動作。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述多個晶體管單元中的一部分形成于除了所述導線接合區(qū)域的中心部之外的所述導線接合區(qū)域的下方，

所述導線接合區(qū)域的下方的晶體管單元的通電能力低于所述導線接合區(qū)域的外側的晶體管單元的通電能力。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述導線接合區(qū)域的下方的晶體管單元的通電能力越是接近所述導線接合區(qū)域的外周部越高。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述多個晶體管單元中的一部分形成于除了所述導線接合區(qū)域的中心部之外的所述導線接合區(qū)域的下方，

多個所述啞單元分散在所述導線接合區(qū)域的下方。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體裝置，其中，

在所述導線接合區(qū)域的下方，啞單元相對于晶體管單元的比率越是接近所述導線接合區(qū)域的外周部的位置越低。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述多個晶體管單元各自具有：

柵極絕緣膜，其形成于所述半導體層之上；

柵極電極，其形成于所述柵極絕緣膜之上；

第一導電型的第一雜質擴散層，其形成于所述半導體層的表層部，該第一雜質擴散層在晶體管單元導通時成為電流路徑；

第二導電型的第二雜質擴散層，其隔著所述柵極絕緣膜與所述柵極電極相鄰，在該第二雜質擴散層形成在晶體管單元導通時成為電流路徑的溝道；以及

接觸構造，其將所述第一雜質擴散層和所述電流電極之間連接，

所述啞單元不具有所述第一雜質擴散層、所述柵極電極及所述接觸構造中的大于或等于1個。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述多個晶體管單元中的一部分形成于除了所述導線接合區(qū)域的中心部之外的所述導線接合區(qū)域的下方，

所述導線接合區(qū)域的下方的晶體管單元的所述第一雜質擴散層的寬度比所述導線接合區(qū)域的外側的晶體管單元的所述第一雜質擴散層的寬度窄。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體裝置，其中，

所述導線接合區(qū)域的下方的晶體管單元的所述第一雜質擴散層的寬度越是接近所述導線接合區(qū)域的外周部越寬。

9.根據(jù)權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述多個晶體管單元中的一部分形成于除了所述導線接合區(qū)域的中心部之外的所述導線接合區(qū)域的下方，

所述導線接合區(qū)域的下方的晶體管單元的所述柵極電極的間距比所述導線接合區(qū)域的外側的晶體管單元的所述柵極電極的間距長。

10.根據(jù)權利要求9所述的半導體裝置，其中，

所述導線接合區(qū)域的下方的晶體管單元的所述柵極電極的間距越是接近所述導線接合區(qū)域的外周部越短。

11.根據(jù)權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述多個晶體管單元中的一部分形成于除了所述導線接合區(qū)域的中心部之外的所述導線接合區(qū)域的下方，

所述導線接合區(qū)域的下方的晶體管單元的所述接觸構造的寬度比所述導線接合區(qū)域的外側的晶體管單元的所述接觸構造的寬度窄。

12.根據(jù)權利要求11所述的半導體裝置，其中，

所述導線接合區(qū)域的下方的晶體管單元的所述接觸構造的寬度越是接近所述導線接合區(qū)域的外周部越寬。