[發明專利]淺溝槽隔離結構及其制備方法有效
| 申請號： | 202010026996.9 | 申請日： | 2020-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN113113347B | 公開（公告）日： | 2023-01-13 |
| 發明（設計）人： | 劉佑銘;王寧;盧合強 | 申請（專利權）人： | 芯恩（青島）集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 266000 山東省青島市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 隔離 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供基底，所述基底包括設置有淺溝槽的襯底，以及位于所述襯底上的依次堆疊設置的襯墊氧化層及氮化硅層，且所述襯墊氧化層及氮化硅層顯露所述淺溝槽；
形成保護氧化層，所述保護氧化層覆蓋所述淺溝槽的底部及側壁，且所述保護氧化層的厚度范圍包括100埃～300埃；
形成填充氧化層，所述填充氧化層填充所述淺溝槽，且至少所述填充氧化層中位于所述淺溝槽開口處及以上的部分中具有摻雜離子，所述摻雜離子包括硼離子、鎵離子中的一種或組合，以通過所述摻雜離子降低所述填充氧化層在酸性溶液中的刻蝕速率。
2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于：所述酸性溶液包括熱磷酸、HF溶液、RCA溶液及BOE溶液中的一種。
3.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于：形成所述填充氧化層的方法包括原位摻雜法；所述原位摻雜法包括HDP摻雜法或HARP摻雜法。
4.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于：形成所述填充氧化層的方法包括以所述氮化硅層作為掩膜的離子注入摻雜法、DPN摻雜法及熱擴散摻雜法中的一種。
5.根據權利要求4所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于：當采用所述離子注入摻雜法或DPN摻雜法形成所述填充氧化層后，還包括退火的步驟。
6.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于：在形成所述保護氧化層之前，還包括回蝕所述氮化硅層的步驟。
7.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于：還包括去除所述氮化硅層及襯墊氧化層的步驟。
8.一種淺溝槽隔離結構，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構包括：
襯底，所述襯底設置有淺溝槽；
保護氧化層，所述保護氧化層覆蓋所述淺溝槽的底部及側壁，且所述保護氧化層的厚度范圍包括100埃～300埃；
填充氧化層，所述填充氧化層填充所述淺溝槽，且至少所述填充氧化層中位于所述淺溝槽開口處及以上的部分中具有摻雜離子，所述摻雜離子包括硼離子、鎵離子中的一種或組合，以通過所述摻雜離子降低所述填充氧化層在酸性溶液中的刻蝕速率。
9.根據權利要求8所述的淺溝槽隔離結構，其特征在于：所述酸性溶液包括熱磷酸、HF溶液、RCA溶液及BOE溶液中的一種。
10.根據權利要求8所述的淺溝槽隔離結構，其特征在于：所述填充氧化層覆蓋所述襯底的部分上表面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
