[發明專利]一種具有可見光波段的深紫外LED器件及其制備方法有效
| 申請號： | 202010026984.6 | 申請日： | 2020-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN111223969B | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發明（設計）人： | 張駿;袁章潔;戴江南;陳長清 | 申請（專利權）人： | 武漢深紫科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 易賢衛 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市東湖新技術開發*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 可見光 波段 深紫 led 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有可見光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述具有可見光波段的深紫外LED器件由下至上依次設置有藍寶石襯底、AlN本征層、n型AlGaN層、電流擴展層、深紫外波段量子阱有源層、可見波段量子阱有源層、電子阻擋層、p型AlGaN注入層、p型GaN接觸層、DBR層、p電極以及n電極；
所述可見波段量子阱有源層為InaGa1-aN層與AlbGa1-bN層組成的超晶格結構，其中0a1且0b1，所述InaGa1-aN層與AlbGa1-bN層的厚度均分別為1～200nm。
3.根據權利要求1中所述的具有可見光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述電子阻擋層為單層AlcGa1-cN結構，其中0＜c＜1，厚度為1nm～100nm。
4.根據權利要求1中所述的具有可見光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述電子阻擋層為AldGa1-dN層與AleGa1-eN層組成的超晶格結構，其中0.4d1且0.4e1，所述AldGa1-dN層與AleGa1-eN層的厚度均分別為1～50nm。
5.根據權利要求1中所述的具有可見光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述p 型AlGaN注入層為單層AlpGa1-pN結構，其中0＜p＜1，厚度為1nm～600nm。
6.根據權利要求1中所述的具有可見光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述DBR層為低折射率膜層與高折射率膜層交替層疊構成，膜層生長溫度為90～270℃，層數為20～80層，單層膜層厚度為10～1000nm，所述DBR放射層整體厚度為1～10μm。
7.根據權利要求1中所述的具有可見光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述n型AlGaN層與電流擴展層之間形成臺階狀結構，且所述n型AlGaN 層的面積大于所述電流擴展層的面積；
所述DBR層設置于所述p型GaN接觸層上，以及包覆所述電流擴展層、深紫外波段量子阱有源層、可見波段量子阱有源層、電子阻擋層、p型AlGaN注入層和p型GaN接觸層的臺階結構；
所述p電極設置于所述p型GaN接觸層上，所述n電極設置于所述n型AlGaN層臺階結構處并位于所述DBR層遠離所述電流擴展層一側。
8.根據權利要求1中所述的具有可見光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述p型AlGaN注入層和p型GaN接觸層中所采用的摻雜劑為Mg。
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