[發明專利]一種用于沉積銦鎵氮量子阱的有錐形坑且含鋁成分的薄層

有效

• 申請號: 202010026871.6
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111180562B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 高江東;張建立;江風益
• 申請（專利權）人: 南昌大學;南昌硅基半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L23/60
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 張文

1.一種用于沉積銦鎵氮量子阱的有錐形坑且含鋁成分的薄層，其特征在于：在銦鎵氮基二極管中，該薄層位于氮化鎵與銦鎵氮量子阱之間，其中：氮化鎵形成在先，銦鎵氮量子阱沉積在后；該薄層的厚度在50至300 nm范圍內；該薄層中含有鋁元素，鋁元素占整個金屬元素含量的比例在0.1%至99.9%，且所述鋁元素連續均勻分布或離散分布于所述薄層。

2.根據權利要求1所述的一種用于沉積銦鎵氮量子阱的有錐形坑且含鋁成分的薄層，其特征在于：在該薄層的表面具有錐形坑，該錐形坑為倒六角錐形，所述倒六角錐形是指具有六角形底的倒立錐體形狀，不是幾何意義上嚴格的六棱錐形。

3.根據權利要求2所述的一種用于沉積銦鎵氮量子阱的有錐形坑且含鋁成分的薄層，其特征在于：該薄層表面具有的錐形坑的面密度在1×10⁷至5×109 cm^-2范圍內。

4.根據權利要求2所述的一種用于沉積銦鎵氮量子阱的有錐形坑且含鋁成分的薄層，其特征在于：該薄層表面具有的錐形坑的總面積占整個薄層上表面面積的比例在10%至50%范圍內。

5.根據權利要求4所述的一種用于沉積銦鎵氮量子阱的有錐形坑且含鋁成分的薄層，其特征在于：該薄層表面具有的錐形坑的總面積占整個薄層上表面面積的比例，與該薄層上沉積的銦鎵氮量子阱的銦含量呈正相關關系，即：錐形坑的總面積占整個薄層上表面面積的比例越大，銦鎵氮量子阱的銦含量越高。

6.根據權利要求1所述的一種用于沉積銦鎵氮量子阱的有錐形坑且含鋁成分的薄層，其特征在于：該薄層的生長溫度在900至1000^oC范圍內。

7.根據權利要求1所述的一種用于沉積銦鎵氮量子阱的有錐形坑且含鋁成分的薄層，其特征在于：該薄層的生長速率在0.1至1nms^-1范圍內。