[發(fā)明專利]一種耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010026743.1
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111041430A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張心鳳;夏正衛(wèi);范宏躍
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽純源鍍膜科技有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/06;C23C14/02
• 代理公司: 合肥九道和專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 34154
• 代理人: 李蕾

1.一種耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝，其特征在于：將基底材料裝配在真空容器內(nèi)，對真空容器進(jìn)行抽真空，抽真空后先采用離子束清洗工藝對基底材料的表面進(jìn)行離子束清洗處理，然后再采用純離子真空鍍膜工藝對離子束清洗處理后的表面進(jìn)行純離子真空鍍膜處理，所鍍膜層為類金剛石Ta-C膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝，其特征在于：純離子真空鍍膜處理工藝過程中可以向真空容器內(nèi)注入工藝氣體，所述工藝氣體包括：Ar、C₂H₂、C₂H₄、C₂H₆。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝，其特征在于：純離子真空鍍膜處理中陰極鍍膜靶材為高純石墨靶材，離子束清洗處理的電壓為300～5000V，Ar離子能量：200～5000eV，基底材料包括金屬、合金、玻璃、樹脂、塑料，陶瓷。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝，其特征在于：純離子真空鍍膜處理中純離子電流參數(shù)為20～300A，純離子真空鍍膜處理中電磁過濾管的直徑為0.1～0.8m，長度為0.2～1.5m，電磁過濾管內(nèi)的過濾磁場為30～3000Gs。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝，其特征在于：純離子真空鍍膜過程中電磁掃描磁場為10～3000Gs。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝，其特征在于：所鍍膜層厚度為0～50um。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝，其特征在于：基底材料在進(jìn)行純離子真空鍍膜處理時對基底材料施加的偏壓為-10000～0V。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝，其特征在于：基底材料在進(jìn)行純離子真空鍍膜處理時真空容器內(nèi)溫度為0～150℃，真空容器進(jìn)行抽真空的真空度范圍為10^-1～10^-5Pa。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝，其特征在于：基底材料上所鍍的膜層為層狀結(jié)構(gòu)，各層的材料組成相同或相異。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的耐高溫類金剛石膜層的生產(chǎn)工藝，其特征在于：相鄰層進(jìn)行鍍膜之前，進(jìn)行離子束清洗處理。