[發明專利]肖特基二極管及其制造方法

在審

• 申請號: 202010026493.1
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN113130666A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 程凱
• 申請（專利權）人: 蘇州晶湛半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/335
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 王嬋

本申請是關于一種肖特基二極管及其制造方法。肖特基二極管包括氮化物溝道層；氮化物勢壘層，氮化物勢壘層形成于氮化物溝道層上；氮化物冒層，氮化物冒層形成于氮化物勢壘層上，氮化物冒層包括激活區域和非激活區域；鈍化層，鈍化層形成于位于氮化物冒層上，鈍化層包括第一凹槽，第一凹槽貫穿鈍化層并暴露氮化物冒層，第一凹槽對應于激活區域；介質層，介質層位于鈍化層上以及第一凹槽的內壁上，且介質層圍成第二凹槽，介質層包括第三凹槽，第三凹槽貫穿介質層并暴露氮化物冒層上的部分激活區域；陽極層，陽極層形成在第二凹槽和第三凹槽內，陽極層與激活區域接觸。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種肖特基二極管及其制造方法。

背景技術

基于肖特基二極管的開關頻率高、正向壓降低等優點使之得到廣泛應用，并逐漸可取代硅在高功率半導體器件上的應用。但是，當前肖特基二極管的陽極層直接成型在異質結構層上，加大了異質結構層在高溫環境下的漏電特性，不滿足實際需求。

發明內容

本申請提供一種肖特基二極管及其制造方法，以解決相關技術中的不足。

根據本申請實施例的第一方面，提供一種肖特基二極管，包括：

氮化物溝道層；

氮化物勢壘層，所述氮化物勢壘層形成于所述氮化物溝道層上；

氮化物冒層，所述氮化物冒層形成于所述氮化物勢壘層上，所述氮化物冒層包括激活區域和非激活區域；

鈍化層，所述鈍化層形成于位于所述氮化物冒層上，所述鈍化層包括第一凹槽，所述第一凹槽貫穿所述鈍化層并暴露所述氮化物冒層，所述第一凹槽對應于所述激活區域；

介質層，所述介質層位于所述鈍化層上以及所述第一凹槽的內壁上，且所述介質層圍成第二凹槽，所述介質層包括第三凹槽，所述第三凹槽貫穿所述介質層并暴露所述氮化物冒層上的部分激活區域；

陽極層，所述陽極層形成在所述第二凹槽和所述第三凹槽內，所述陽極層與所述激活區域接觸。

可選的，所述氮化物冒層包括形成于所述激活區域的第四凹槽，所述第四凹槽貫穿所述氮化物冒層并暴露所述氮化物勢壘層的一部分，且所述第四凹槽與所述第三凹槽導通；

所述陽極層包括第一陽極層和第二陽極層，所述第一陽極層形成于所述第二凹槽內，所述第二陽極層形成于所述第三凹槽和所述第四凹槽內并與所述氮化物勢壘層接觸。

可選的，還包括：

第五凹槽和第六凹槽，所述第五凹槽和所述第六凹槽分別位于所述陽極層的兩側，所述第五凹槽和所述第六凹槽均貫穿至所述氮化物勢壘層；

陰極層，所述陰極層形成于所述第五凹槽和所述第六凹槽內，并與所述氮化物勢壘層接觸。

可選的，所述氮化物勢壘層和氮化物冒層之間還可以設有阻擋層。

可選的，所述激活區域為P型氮化物冒層。

可選的，所述氮化物冒層包括摻雜有鎂元素的氮化物冒層。

可選的，鎂元素的摻雜濃度物位于1E16cm3-5E20/cm3之間。

可選的，所述氮化物溝道層包括氮化鎵溝道層，所述氮化物勢壘層包括氮化鎵鋁勢壘層。

根據本申請實施例的第二方面，提供一種肖特基二極管的制造方法，包括：

形成氮化物溝道層；

在所述氮化物溝道層上形成氮化物勢壘層；

在所述氮化物勢壘層上形成氮化物冒層；

在所述氮化物冒層上形成鈍化層；