[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010026482.3
• 申請(qǐng)日: 2020-01-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112509976A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 谷岡兆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/78
• 分類號(hào): H01L21/78;H01L21/304
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有如下步驟：

在形成有第1半導(dǎo)體層的第1晶圓形成槽；

使所述第1半導(dǎo)體層與形成在第2晶圓上的第2半導(dǎo)體層貼合；

使所述貼合而成的構(gòu)件的所述第1晶圓或所述第2晶圓變薄；

在所述變薄的晶圓側(cè)的面上形成布線；及

將對(duì)準(zhǔn)所述槽的位置形成布線的構(gòu)件進(jìn)行切單。

2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有如下步驟：

在形成有第1半導(dǎo)體層的第1晶圓形成槽；

使所述第1半導(dǎo)體層與形成在第2晶圓上的第2半導(dǎo)體層貼合；

使所述貼合而成的構(gòu)件的所述第1晶圓或所述第2晶圓變薄；

在所述未變薄的晶圓側(cè)的面上形成布線；及

將對(duì)準(zhǔn)所述槽的位置形成布線的構(gòu)件進(jìn)行切單。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在使所述第1晶圓或所述第2晶圓變薄的步驟中，將所述第1晶圓或第2晶圓削除。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在使所述第1晶圓或所述第2晶圓變薄的步驟中，

使所述第1晶圓變薄，露出形成在所述第1晶圓的所述槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在所述貼合步驟之前，更包含在所述第2晶圓形成槽的步驟，且

在使所述第1晶圓或所述第2晶圓變薄的步驟中，使所述第1晶圓變薄。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在所述貼合步驟中，使未形成槽的所述第2晶圓與形成有槽的所述第1晶圓貼合，且

在所述切單步驟中，對(duì)準(zhǔn)所述第1晶圓的槽的位置，將所述第2晶圓切斷。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第1半導(dǎo)體層或所述第2半導(dǎo)體層的其中一個(gè)含有包含多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列，且

所述第1半導(dǎo)體層或所述第2半導(dǎo)體層中的另一個(gè)包含所述存儲(chǔ)單元的控制電路。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中使形成有所述存儲(chǔ)單元陣列的側(cè)的晶圓變薄。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述槽是以選自由刀片劃片、激光劃片、干法刻蝕及濕法刻蝕所組成的群的1種以上方法形成。