[發(fā)明專利]電磁波衰減體及電子裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010026390.5 | 申請(qǐng)日： | 2020-01-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111436186B | 公開（公告）日： | 2022-03-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 喜喜津哲;黑崎義成;山田健一郎;松中繁樹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝;芝浦機(jī)械電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H05K9/00 | 分類號(hào)： | H05K9/00;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人： | 張軼楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電磁波 衰減 電子 裝置 | ||
1.一種電磁波衰減體，具備：
多個(gè)磁性層；和
導(dǎo)電性的多個(gè)非磁性層，
所述多個(gè)非磁性層中的一個(gè)非磁性層位于所述多個(gè)磁性層中的一個(gè)磁性層與所述多個(gè)磁性層中的另一個(gè)磁性層之間，
所述多個(gè)磁性層中的所述一個(gè)磁性層的沿著第1方向的第1厚度為所述多個(gè)非磁性層中的所述一個(gè)非磁性層的沿著所述第1方向的第2厚度的1/2倍以上，所述第1方向是從所述多個(gè)磁性層中的所述一個(gè)磁性層向所述多個(gè)磁性層中的所述另一個(gè)磁性層的方向，
所述多個(gè)磁性層的數(shù)量為3以上，
所述多個(gè)磁性層中的所述一個(gè)磁性層包括與所述多個(gè)非磁性層中的所述一個(gè)非磁性層相對(duì)向的第1面，
所述第1面包括第1頂部和第1底部，
所述第1頂部和所述第1底部之間的沿著所述第1方向的距離為10nm以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波衰減體，
所述多個(gè)磁性層中的所述一個(gè)磁性層包含晶粒，
所述晶粒的直徑的平均值為40nm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波衰減體，
所述多個(gè)磁性層中的至少一個(gè)磁性層包括磁疇壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波衰減體，
所述多個(gè)磁性層中的一個(gè)磁性層的至少一部分中的磁化的朝向與所述多個(gè)磁性層中的另一個(gè)磁性層的至少一部分中的磁化的朝向交叉。
5.一種電磁波衰減體，具備：
多個(gè)磁性層；和
導(dǎo)電性的多個(gè)非磁性層，
所述多個(gè)非磁性層中的一個(gè)非磁性層位于所述多個(gè)磁性層中的一個(gè)磁性層與所述多個(gè)磁性層中的另一個(gè)磁性層之間，
所述多個(gè)磁性層中的所述一個(gè)磁性層的沿著第1方向的第1厚度為所述多個(gè)非磁性層中的所述一個(gè)非磁性層的沿著所述第1方向的第2厚度的1/2倍以上，所述第1方向是從所述多個(gè)磁性層中的所述一個(gè)磁性層向所述多個(gè)磁性層中的所述另一個(gè)磁性層的方向，
所述多個(gè)磁性層的數(shù)量為3以上，
所述多個(gè)磁性層中的所述一個(gè)磁性層包括與所述多個(gè)非磁性層中的所述一個(gè)非磁性層相對(duì)向的第1面，
所述第1面包括第1頂部、第2頂部及第1底部，
與所述第1方向交叉的第2方向上的所述第1底部的位置位于所述第2方向上的所述第1頂部的位置與所述第2方向上的所述第2頂部的位置之間，
所述多個(gè)非磁性層中的所述一個(gè)非磁性層的至少一部分在所述第2方向上位于所述第1頂部與所述第2頂部之間。
6.一種電磁波衰減體，具備：
多個(gè)磁性層；和
導(dǎo)電性的多個(gè)非磁性層，
所述多個(gè)非磁性層中的一個(gè)非磁性層位于所述多個(gè)磁性層中的一個(gè)磁性層與所述多個(gè)磁性層中的另一個(gè)磁性層之間，
所述多個(gè)磁性層中的所述一個(gè)磁性層的沿著第1方向的第1厚度為所述多個(gè)非磁性層中的所述一個(gè)非磁性層的沿著所述第1方向的第2厚度的1/2倍以上，所述第1方向是從所述多個(gè)磁性層中的所述一個(gè)磁性層向所述多個(gè)磁性層中的所述另一個(gè)磁性層的方向，
所述多個(gè)磁性層的數(shù)量為3以上，
所述多個(gè)磁性層中的至少一個(gè)磁性層包括多個(gè)磁性膜和多個(gè)非磁性膜，
所述多個(gè)非磁性膜中的一個(gè)非磁性膜位于所述多個(gè)磁性膜中的一個(gè)磁性膜與所述多個(gè)磁性膜中的另一個(gè)磁性膜之間，
所述多個(gè)磁性膜中的所述一個(gè)磁性膜的沿著第1方向的第3厚度比所述多個(gè)非磁性膜中的所述一個(gè)非磁性膜的沿著所述第1方向的第4厚度厚，所述第1方向是從所述多個(gè)磁性膜中的所述一個(gè)磁性膜向所述多個(gè)磁性膜中的所述另一個(gè)磁性膜的方向，
所述第4厚度為0.5nm以上且7nm以下。
7.一種電子裝置，具備：
權(quán)利要求1所述的電磁波衰減體；和
電子元件。
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