[發(fā)明專利]一種單像元紅外和可見光雙波段傳感器及陣列

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010026122.3
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111192890A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂堅;鄒靈樂;張逸;魯競原;闕隆成;周云
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G01J1/42
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 張超

1.一種單像元紅外和可見光雙波段傳感器，其特征在于，包括上層感光組件(1)、橋柱(2)、可見光感光組件(3)和硅襯底(4)；所述上層感光組件(1)通過所述橋柱(2)安裝于所述硅襯底(4)上方，且所述可見光感光組件(3)設(shè)置于所述硅襯底(4)的上表面；

所述上層感光組件(1)上設(shè)置有透光通孔(13)，且所述可見光感光組件(3)位于所述透光通孔(13)的正下方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單像元紅外和可見光雙波段傳感器，其特征在于，所述上層感光組件(1)包括紅外感光組件(11)和橋腿(12)；所述橋腿(12)連接于所述紅外感光組件(11)的側(cè)面，且所述橋腿(12)通過所述橋柱(2)安裝于所述硅襯底(4)上方；所述透光通孔(13)設(shè)置于所述紅外感光組件(11)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單像元紅外和可見光雙波段傳感器，其特征在于，所述紅外感光組件(11)由自上而下依次設(shè)置的頂層氮化硅(14)、氧化釩薄膜(15)和氮化硅支撐層(16)組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種單像元紅外和可見光雙波段傳感器，其特征在于，所述頂層氮化硅(14)的厚度為120nm～200nm；所述氧化釩薄膜(15)的厚度為60nm～100nm；所述氮化硅支撐層(16)的厚度為120nm～200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單像元紅外和可見光雙波段傳感器，其特征在于，所述橋腿(12)為L型橋腿，且所述橋腿(12)采用鎳化鉻。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單像元紅外和可見光雙波段傳感器，其特征在于，所述硅襯底(4)包括P型摻雜層(41)和N型摻雜層(42)；所述P型摻雜層(41)設(shè)置于所述N型摻雜層(42)上方，且所述橋柱(2)安裝于所述P型摻雜層(41)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單像元紅外和可見光雙波段傳感器，其特征在于，所述可見光感光組件(3)采用金屬反射層；所述金屬反射層設(shè)置于所述硅襯底(4)的上表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種單像元紅外和可見光雙波段傳感器，其特征在于，所述金屬反射層采用金、銀、鋁或銅，且所述金屬反射層的厚度為00～500nm。

9.一種單像元紅外和可見光雙波段傳感器陣列，其特征在于，由多個權(quán)利要求1～8任意一項所述單像元紅外和可見光雙波段傳感器組成形成陣列。