[發(fā)明專利]一種SiBCN-Ta4

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010025977.4
• 申請(qǐng)日: 2020-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111196726B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李達(dá)鑫;王柄筑;楊治華;賈德昌;周玉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C04B35/58
• 分類(lèi)號(hào): C04B35/58;C04B35/56
• 代理公司: 北京隆源天恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11473
• 代理人: 涂杰

1.一種SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷的制備方法，其特征在于，包括：

制備Ta₄HfC₅單相納米晶粉體，包括：在氬氣保護(hù)下，將碳化鉭粉體和碳化鉿粉體置于高能球磨機(jī)中，進(jìn)行高能球磨，使得碳化鉭晶粒和碳化鉿晶粒經(jīng)過(guò)破碎、冷焊、固溶，制得所述Ta₄HfC₅單相納米晶粉體；

將所述Ta₄HfC₅單相納米晶粉體、六方氮化硼、立方硅粉和石墨混合后進(jìn)行高能球磨，得到非晶-納米晶復(fù)合粉體；所述Ta₄HfC₅單相納米晶粉體的質(zhì)量占所述非晶-納米晶復(fù)合粉體質(zhì)量的2.5%-15%；

將所述非晶-納米晶復(fù)合粉體進(jìn)行燒結(jié)，即制得SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷的制備方法，其特征在于，所述Ta₄HfC₅單相納米晶粉體的晶粒尺寸為3-5nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷的制備方法，其特征在于，所述立方硅粉、所述六方氮化硼、所述石墨的摩爾比為Si：BN：C=（1.8-2.2）：（0.5-1.2）：（2.8-3.2）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷的制備方法，其特征在于，所述碳化鉭粉體和所述碳化鉿粉體的摩爾比為4:1；

制備所述Ta₄HfC₅單相納米晶粉體的高能球磨條件為：球料比（10-30）：1，主盤(pán)轉(zhuǎn)速200-400r/min，行星盤(pán)轉(zhuǎn)速650-850r/min，球磨時(shí)間10-30h。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷的制備方法，其特征在于，所述將所述非晶-納米晶復(fù)合粉體進(jìn)行燒結(jié)的方式包括：熱壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)或超高壓燒結(jié)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷的制備方法，其特征在于，當(dāng)采用所述熱壓燒結(jié)時(shí)，所述熱壓燒結(jié)的工藝條件包括：燒結(jié)溫度為1800-2200℃，燒結(jié)壓力為40-80MPa，燒結(jié)時(shí)間為20-90min，保護(hù)氣氛為氮?dú)饣驓鍤饣蛘婵諚l件。

7.一種SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷，其特征在于，采用權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷的制備方法制得。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷，其特征在于，所述SiBCN-Ta₄HfC₅復(fù)相陶瓷包括SiBCN基體相，Ta₄HfC₅單相納米晶分布在所述SiBCN基體相內(nèi)，且所述Ta₄HfC₅單相納米晶的各晶粒之間相互分離。