[發(fā)明專利]處理方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010025834.3
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號(hào): CN111435635A
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 及川翔;橫山政司;岡野太一;河崎俊一
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發(fā)明提供一種防止在向外周構(gòu)件施加了電壓時(shí)針對被處理體的工藝特性下降的處理方法和等離子體處理裝置。在所述處理方法中，使用等離子體處理裝置對被處理體進(jìn)行處理，所述等離子體處理裝置具有：載置臺(tái)，其在腔室內(nèi)載置被處理體；外周構(gòu)件，其配置于所述載置臺(tái)的周圍；以及第一電源，其向所述外周構(gòu)件施加電壓，所述處理方法包括以下工序：從所述第一電源向所述外周構(gòu)件施加電壓；參照存儲(chǔ)有向外周構(gòu)件施加的電壓與工藝參數(shù)的校正值之間的相關(guān)信息的存儲(chǔ)部，基于施加于所述外周構(gòu)件的電壓來校正工藝參數(shù)；以及按照包括校正后的所述工藝參數(shù)的工藝條件來執(zhí)行等離子體處理。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種處理方法和等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

配置于晶圓的周圍的外周構(gòu)件(下面也稱為邊緣環(huán)。)由于暴露于等離子體而產(chǎn)生消耗。邊緣環(huán)的消耗會(huì)對向晶圓實(shí)施的處理的結(jié)果造成影響，使蝕刻形狀以及蝕刻速率等工藝特性降低。因此，專利文獻(xiàn)1提出了一種減少由于邊緣環(huán)的消耗引起的對蝕刻形狀等處理結(jié)果的影響的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-258417號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

本公開提供一種能夠防止在向外周構(gòu)件施加了電壓時(shí)針對被處理體的工藝特性下降的技術(shù)。

用于解決問題的方案

根據(jù)本公開的一個(gè)方式，提供一種處理方法，在該處理方法中，使用等離子體處理裝置對被處理體進(jìn)行處理，所述等離子體處理裝置具有：載置臺(tái)，其在腔室內(nèi)載置被處理體；外周構(gòu)件，其配置于所述載置臺(tái)的周圍；以及第一電源，其向所述外周構(gòu)件施加電壓，所述處理方法包括以下工序：從所述第一電源向所述外周構(gòu)件施加電壓的工序；參照存儲(chǔ)有向外周構(gòu)件施加的電壓與工藝參數(shù)的校正值之間的相關(guān)信息的存儲(chǔ)部，基于施加于所述外周構(gòu)件的電壓來校正工藝參數(shù)；以及按照包括校正后的所述工藝參數(shù)的工藝條件來執(zhí)行等離子體處理。

發(fā)明的效果

根據(jù)一個(gè)方面，能夠防止在向外周構(gòu)件施加了電壓時(shí)針對被處理體的工藝特性下降。

附圖說明

圖1是示出一個(gè)實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置的一例的示意截面圖。

圖2是示出由邊緣環(huán)的消耗引起的傾斜的變動(dòng)的圖。

圖3是示出向邊緣環(huán)施加了電壓時(shí)的蝕刻速率的一例的圖。

圖4是示出向邊緣環(huán)施加了電壓時(shí)的蝕刻速率的一例的圖。

圖5是示出一個(gè)實(shí)施方式所涉及的處理方法的處理結(jié)果的一例的圖。

圖6是示出一個(gè)實(shí)施方式所涉及的處理方法的一例的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖來說明用于實(shí)施本公開的方式。在各附圖中，對同一構(gòu)成部分標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，有時(shí)省略重復(fù)的說明。

[等離子體處理裝置]

參照圖1來說明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置1。圖1是示出一個(gè)實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置1的一例的示意截面圖。一個(gè)實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置1是電容耦合型的平行板處理裝置，具有腔室10。腔室10是由例如表面被實(shí)施了陽極氧化處理的鋁構(gòu)成的圓筒狀的容器，且腔室10接地。