[發(fā)明專利]一種CuFe2O4薄膜電阻式隨機(jī)存儲器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010024981.9
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111129300A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郝愛澤;寧雪兒;賈殿贈
• 申請（專利權(quán)）人: 新疆大學(xué)
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電阻式隨機(jī)存儲器件，由導(dǎo)電襯底、電阻存儲薄膜層和導(dǎo)電頂電極組成，其特點(diǎn)在于所述電阻存儲薄膜層為CuFe₂O₄薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存儲器件，其特點(diǎn)在于所述薄膜厚度為 50~500nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電阻式隨機(jī)存儲器件，其特點(diǎn)在于所述導(dǎo)電襯底為Pt或者ITO，導(dǎo)電頂電極為Pt、Au、Ti或Cu電極。

4.權(quán)利要求1所述電阻式隨機(jī)存儲器件的制備方法是采用真空鍍膜技術(shù)，在CuFe₂O₄薄膜表面鍍上導(dǎo)電頂電極，構(gòu)成Pt/CuFe₂O₄/Pt三明治結(jié)構(gòu)的電阻式隨機(jī)存儲器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特點(diǎn)在于所述CuFe₂O₄薄膜的制備方法為溶膠凝膠法。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特點(diǎn)在于所述溶膠凝膠法由以下步驟組成：制備CuFe₂O₄前驅(qū)體溶液，將其旋轉(zhuǎn)涂覆于導(dǎo)電Pt襯底上，制備CuFe₂O₄前驅(qū)體薄膜，對前驅(qū)體薄膜進(jìn)行熱處理，處理溫度為300~600 ℃，時間為1~120分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特點(diǎn)在于所述CuFe₂O₄前驅(qū)液是由Cu(NO₃)₂·3H₂O、Fe(NO₃)₃·9H₂O按1:2比例稱量作為溶質(zhì)，加入比例為2:1的乙二醇甲醚和冰醋酸組成的混合溶液中，室溫攪拌8小時得到。